[發明專利]采用多基島引線框架的芯片封裝結構

在審

• 申請號: 202010189762.6
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN111180437A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 李陽德;周占榮;徐鵬
• 申請（專利權）人: 上海晶豐明源半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L25/07;H01L23/495
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，包括：

多基島引線框架，包括第一類引腳以及相互之間電氣隔離的第二基島、第三基島與第四基島；所述第一類引腳包括第一交流電輸入引腳、第二交流電輸入引腳、總線引腳以及接地引腳；

一顆雙N襯底二極管，設置于所述第二基島上，所述雙N襯底二極管包括第一陽極、第二陽極以及共用的陰極，其陰極與所述第二基島電連接、并通過所述第二基島與所述總線引腳電連接，其第一陽極通過金屬引線與所述第一交流電輸入引腳電連接，其第二陽極通過金屬引線與所述第二交流電輸入引腳電連接；

一第一N襯底二極管，設置于所述第三基島上，其陰極與所述第三基島電連接、并通過所述第三基島與所述第一交流電輸入引腳電連接，其陽極通過金屬引線與所述接地引腳電連接；

一第二N襯底二極管，設置于所述第四基島上，其陰極與所述第四基島電連接、并通過所述第四基島與所述第二交流電輸入引腳電連接，其陽極通過金屬引線與所述接地引腳電連接。

2.如權利要求1所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述雙N襯底二極管、所述第一N襯底二極管與所述第二N襯底二極管均采用粘結劑分別粘貼于相應的基島上。

3.如權利要求1所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述總線引腳與所述第二基島直接連接，所述第一交流電輸入引腳與所述第三基島直接連接，所述第二交流電輸入引腳與所述第四基島直接連接。

4.如權利要求1所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片封裝結構還包括一主控芯片，所述多基島引線框架上還設有一第一基島；所述主控芯片設置于所述第一基島上。

5.如權利要求4所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一基島為打凹結構，且所述第一基島打凹后作為所述接地引腳。

6.如權利要求4所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述主控芯片的兩相對側邊與所述芯片封裝結構的一中軸線平行或具有一夾角。

7.如權利要求4所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一基島位于所述多基島引線框架的中部，且兩側分別與連筋相連；所述第二基島與所述第三基島并排放置，并均位于所述第一基島的第一側；所述第四基島與所述第三基島相對設置，并位于所述第一基島的第二側；其中，所述第二側與所述第一側為所述第一基島的相對的兩側。

8.如權利要求4所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一基島兩側分別與連筋相連；所述第二基島、所述第三基島、所述第四基島均位于所述第一基島的同一側。

9.如權利要求4所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一交流電輸入引腳、所述第二交流電輸入引腳、所述總線引腳均位于所述多基島引線框架的同一側。

10.如權利要求8所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述第三基島與所述第四基島分別位于所述第二基島的兩側。

11.如權利要求8所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述第三基島與所述第四基島均位于所述第二基島的同一側。

12.如權利要求11所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述雙N襯底二極管的兩相對側邊與所述芯片封裝結構的一中軸線具有一夾角。

13.如權利要求11所述的采用多基島引線框架的芯片封裝結構，其特征在于，所述第三基島與所述第四基島中，靠近所述第二基島的基島向所述第一基島方向延伸形成一凸起。