[發明專利]基準比較電路

有效

• 申請號: 202010189073.5
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN111061333B
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 劉海波
• 申請（專利權）人: 南京華瑞微集成電路有限公司
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26
• 代理公司: 江蘇舜點律師事務所 32319
• 代理人: 孫丹

1.一種基準比較電路，其特征在于，包括：電壓檢測模塊、與所述電壓檢測模塊連接的比較模塊，及與所述比較模塊連接的輸出模塊；

所述電壓檢測模塊，包括分壓電阻，所述電壓檢測模塊用于提供與輸入電壓相關的第一電壓和所述分壓電阻產生的第二電壓；

所述比較模塊，包括電流轉換模塊和與所述電流轉換模塊連接的電流鏡模塊；其中，所述電流轉換模塊用于將所述第二電壓轉換為對應的第一電流和第二電流，所述比較模塊用于將所述電流鏡模塊對所述第一電流鏡像后與所述第二電流比較，并根據比較結果輸出電壓；

輸出模塊，用于根據所述輸出電壓輸出對應的電平值。

2.根據權利要求1所述的基準比較電路，其特征在于，所述電壓檢測模塊包括第三電阻和分壓電阻，其中，所述分壓電阻包括第四電阻；

其中，所述第三電阻一端與所述輸入電壓連接，另一端與所述第四電阻連接，所述第四電阻一端與所述第三電阻連接，另一端接地；

所述電壓檢測模塊根據所述第三電阻獲取輸入電壓相關的所述第一電壓，并與根據所述第四電阻獲取所述第二電壓。

3.根據權利要求2所述的基準比較電路，其特征在于，所述電流轉換模塊包括晶體管組，所述晶體管組用于將所述第二電壓轉換為對應的第一電流和第二電流。

4.根據權利要求3所述的基準比較電路，其特征在于，所述晶體管組包括第一三極管Q1、第二三極管Q2、第一電阻R1和第二電阻R2；

其中，所述第一三極管的基極和所述第二三極管的基極連接，同時與所述第三電阻和第四電阻的中間節點連接，所述第一三極管的發射極與第一電阻和第二電阻的中間節點連接，所述第一三極管的集電極與所述電流鏡模塊連接；

所述第二三極管的發射極與所述第一電阻遠離所述第二電阻的一端連接；

所述第二電阻遠離所述第一電阻的一端，與所述第四電阻遠離所述第三電阻的一端連接；

所述電流轉換模塊根據所述第一三極管和所述第二電壓獲取所述第一電流，根據所述第二三極管和所述第二電壓獲取所述第二電流。

5.根據權利要求3所述的基準比較電路，其特征在于，所述晶體管組包括第一N型mos管、第二N型mos管、第一電阻和第二電阻；

其中，所述第一N型mos管的柵極和所述第二N型mos管的柵極連接，同時與所述第三電阻和第四電阻的中間節點連接，所述第一N型mos管的源極與第一電阻和第二電阻的中間節點連接，所述第一N型mos管的漏極與所述電流鏡模塊連接；

所述第二N型mos管的源極與所述第一電阻遠離所述第二電阻的一端連接；

所述第二電阻遠離所述第一電阻的一端，與所述第四電阻遠離所述第三電阻的一端連接；

所述電流轉換模塊根據所述第一N型mos管和所述第二電壓獲取所述第一電流，根據所述第二N型mos管和所述第二電壓獲取所述第二電流。

6.根據權利要求5所述的基準比較電路，其特征在于，所述第二N型mos管包括多個相互并聯的N型mos管。

7.根據權利要求5或6所述的基準比較電路，其特征在于，所述第二N型mos管包括10個相互并聯的N型mos管。

8.根據權利要求4所述的基準比較電路，其特征在于，所述電流鏡模塊包括第一P型mos管和第二P型mos管；

所述第一P型mos管的柵極與所述第二P型mos管的柵極連接，所述第一P型mos管的柵極與所述第一P型mos管的漏極連接，所述第一P型mos管的源極與電源相連，所述第一P型mos管的漏極與所述電流轉換模塊連接；

所述第二P型mos管的源極與電源連接，所述第二P型mos管的漏極電流轉換模塊連接，并與所述輸出模塊的輸入端相連；

所述電流鏡模塊根據所述第一P型mos管和所述第二P型mos管對所述第一電流鏡像。

9.根據權利要求8所述的基準比較電路，其特征在于，所述第一P型mos管和所述第二P型mos管的寬長比為1:1。

10.根據權利要求8或9所述的基準比較電路，其特征在于，所述輸出模塊包括放大器，所述放大器用于根據所述輸出電壓輸出對應的電平值；

其中，所述放大器的一個輸入端與所述第二P型mos管的源極連接，另一個輸入端與所述第二P型mos管的漏極和所述電流轉換模塊的中間節點連接。