[發明專利]發光二極管芯片封裝結構及其制作方法

有效

• 申請號: 202010187541.5
• 申請日: 2020-03-17
• 公開（公告）號: CN113257981B
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 廖建碩
• 申請（專利權）人: 臺灣愛司帝科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L25/075
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 田婷

本發明公開一種發光二極管芯片封裝結構及其制作方法。發光二極管芯片封裝結構的制作方法包括：提供光波長轉換薄膜，其包括暫時性基層以及形成在暫時性基層上的光波長轉換層；移除暫時性基層；讓光波長轉換層覆蓋于多個發光二極管芯片上。發光二極管芯片封裝結構包括多個發光二極管芯片以及一光波長轉換層。光波長轉換層覆蓋于多個發光二極管芯片上。光波長轉換層包括多個紅色部分、多個綠色部分、多個透明部分以及圍繞每一紅色部分、每一綠色部分與每一透明部分的一黑色部分。每一紅色部分由多個紅色顆粒組成。每一綠色部分由多個綠色顆粒組成。借此，紅色顆粒能直接接觸相對應的發光二極管芯片，且綠色顆粒能直接接觸相對應的發光二極管芯片。

技術領域

本發明涉及一種芯片封裝結構及其制作方法，特別是涉及一種發光二極管芯片封裝結構及其制作方法。

背景技術

現有技術的多個熒光粉顆粒會先混在一封裝材料內而形成一具有多個熒光粉顆粒的熒光膠體，然后具有多個熒光粉顆粒與封裝材料的熒光膠體會被涂布在發光二極管芯片上。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，針對現有技術的不足提供一種發光二極管芯片封裝結構及其制作方法。

為了解決上述的技術問題，本發明所采用的其中一技術方案是，提供一種發光二極管芯片封裝結構的制作方法，其包括：首先，提供一光波長轉換薄膜，其包括一暫時性基層以及形成在所述暫時性基層上的一光波長轉換層，所述光波長轉換層包括交錯設置的多個紅色部分、交錯設置的多個綠色部分、交錯設置的多個透明部分以及圍繞每一所述紅色部分、每一所述綠色部分與每一所述透明部分的一黑色部分；接著，將所述光波長轉換薄膜放置在一液體槽內的一液體的液面上；然后，使用一溶劑以溶解所述暫時性基層，以使得所述暫時性基層完全脫離所述光波長轉換層；接下來，執行步驟(A)或者步驟(B)。其中，所述步驟(A)為：將所述液體漸漸從所述液體槽內泄除，而使得所述光波長轉換層漸漸接近預先放置在所述液體槽內的底面上的多個發光二極管芯片，直到所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極管芯片的頂面；其中，所述步驟(B)為：預先放置在所述液體槽內的多個發光二極管芯片通過一抬升設備的抬升而漸漸接近所述光波長轉換層，直到所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極管芯片的頂面。

進一步地，在所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極管芯片的步驟后，所述發光二極管芯片封裝結構的制作方法進一步包括：形成一保護層于所述光波長轉換層上；其中，當所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極管芯片的頂面時，每一所述發光二極管芯片的頂面被所述紅色部分、所述綠色部分與所述透明部分三者其中之一所覆蓋，而不會被所述黑色部分所覆蓋；其中，每一所述紅色部分由彼此相互緊密連接的多個紅色顆粒所組成，且每一所述綠色部分由彼此相互緊密連接的多個綠色顆粒所組成。

為了解決上述的技術問題，本發明所采用的另外一技術方案是，提供一種發光二極管芯片封裝結構的制作方法，其包括：首先，提供一光波長轉換薄膜，其包括一暫時性基層以及形成在所述暫時性基層上的一光波長轉換層；接著，移除所述暫時性基層；然后，讓所述光波長轉換層覆蓋于多個發光二極管芯片上。

進一步來說，在移除所述暫時性基層的步驟中，所述發光二極管芯片封裝結構的制作方法進一步包括：首先，將所述光波長轉換薄膜放置在一第一位置上，所述第一位置為位于一第一液體槽內的一第一種液體的液面上；然后，使用一溶劑以溶解所述暫時性基層，以使得所述暫時性基層完全脫離所述光波長轉換層。

進一步來說，在讓所述光波長轉換層覆蓋于多個所述發光二極管芯片上的步驟中，所述發光二極管芯片封裝結構的制作方法進一步包括：首先，將所述光波長轉換層移至一第二位置上，所述第二位置為位于一第二液體槽內的一第二種液體的液面上；然后，將所述第一種液體漸漸從所述第一液體槽內泄除，而使得所述光波長轉換層漸漸接近預先放置在所述第一液體槽內的底面上的多個所述發光二極管芯片，直到所述光波長轉換層覆蓋多個所述發光二極管芯片的頂面。