[發(fā)明專利]發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010187541.5
• 申請(qǐng)日: 2020-03-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113257981B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖建碩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣愛(ài)司帝科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/50
• 分類號(hào): H01L33/50;H01L25/075
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 田婷

1.一種發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法包括：

提供一光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換薄膜，其包括一暫時(shí)性基層以及形成在所述暫時(shí)性基層上的一光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層包括交錯(cuò)設(shè)置的多個(gè)紅色部分、交錯(cuò)設(shè)置的多個(gè)綠色部分、交錯(cuò)設(shè)置的多個(gè)透明部分以及圍繞每一所述紅色部分、每一所述綠色部分與每一所述透明部分的一黑色部分；

將所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換薄膜放置在一液體槽內(nèi)的一液體的液面上，使得所述暫時(shí)性基層覆蓋所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層和所述液體的所述液面；

使用一溶劑以溶解所述暫時(shí)性基層，以使得所述暫時(shí)性基層完全脫離所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層；以及

執(zhí)行步驟(A)或者步驟(B)；

其中，所述步驟(A)為：將所述液體漸漸從所述液體槽內(nèi)泄除，而使得所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層漸漸接近預(yù)先放置在所述液體槽內(nèi)的底面上的多個(gè)發(fā)光二極管芯片，直到所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層覆蓋多個(gè)所述發(fā)光二極管芯片的頂面；

其中，所述步驟(B)為：預(yù)先放置在所述液體槽內(nèi)的多個(gè)發(fā)光二極管芯片通過(guò)一抬升設(shè)備的抬升而漸漸接近所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，直到所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層覆蓋多個(gè)所述發(fā)光二極管芯片的頂面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層覆蓋多個(gè)所述發(fā)光二極管芯片的步驟后，所述發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法還進(jìn)一步包括：形成一保護(hù)層于所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層上；其中，當(dāng)所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層覆蓋多個(gè)所述發(fā)光二極管芯片的頂面時(shí)，每一所述發(fā)光二極管芯片的頂面被所述紅色部分、所述綠色部分與所述透明部分三者其中之一所覆蓋，而不會(huì)被所述黑色部分所覆蓋；其中，每一所述紅色部分由彼此相互緊密連接的多個(gè)紅色顆粒所組成，且每一所述綠色部分由彼此相互緊密連接的多個(gè)綠色顆粒所組成。

3.一種發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法包括：

提供一光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換薄膜，其包括一暫時(shí)性基層以及形成在所述暫時(shí)性基層上的一光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層；

將所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換薄膜放置在第一液體槽內(nèi)的一第一種液體的液面上，使得所述暫時(shí)性基層覆蓋所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層和所述第一種液體的所述液面；

移除所述暫時(shí)性基層；以及

讓所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層覆蓋于多個(gè)發(fā)光二極管芯片上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在移除所述暫時(shí)性基層的步驟中，所述發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法還進(jìn)一步包括：

將所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換薄膜放置在一第一位置上，所述第一位置為位于所述第一液體槽內(nèi)的所述第一種液體的所述液面上；以及

使用一溶劑以溶解所述暫時(shí)性基層，以使得所述暫時(shí)性基層完全脫離所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在讓所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層覆蓋于多個(gè)所述發(fā)光二極管芯片上的步驟中，所述發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法還進(jìn)一步包括：

將所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層移至一第二位置上，所述第二位置為位于一第二液體槽內(nèi)的一第二種液體的液面上；以及

將所述第二種液體漸漸從所述第二液體槽內(nèi)泄除，而使得所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層漸漸接近預(yù)先放置在所述第二液體槽內(nèi)的底面上的多個(gè)所述發(fā)光二極管芯片，直到所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層覆蓋多個(gè)所述發(fā)光二極管芯片的頂面。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在讓所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層覆蓋于多個(gè)所述發(fā)光二極管芯片上的步驟中，所述發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法還進(jìn)一步包括：

將所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層移至一第二位置上，所述第二位置為位于一第二液體槽內(nèi)的一第二種液體的液面上；以及

預(yù)先放置在所述第二液體槽內(nèi)的多個(gè)所述發(fā)光二極管芯片通過(guò)一抬升設(shè)備的抬升而漸漸接近所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，直到所述光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層覆蓋多個(gè)所述發(fā)光二極管芯片的頂面。