[發(fā)明專利]一種工件架及鍍膜系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010186547.0
• 申請日: 2020-03-17
• 公開（公告）號: CN111349910B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄧必龍;鄭利勇
• 申請（專利權(quán)）人: 龍鱗（深圳）新材料科技有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/507;C23C16/509
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬;潘登

本發(fā)明屬于鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種工件架及鍍膜系統(tǒng)。工件架包括：框架、前擋板、兩個側(cè)板、射頻電極板和接地電極板，兩個側(cè)板和前擋板合圍形成開口背向前擋板的容納腔，側(cè)板上的通孔與容納腔連通；各電極板均設(shè)置于容納腔內(nèi)，且沿框架的高度方向間隔交替連接在框架上。鍍膜系統(tǒng)包括反應(yīng)室，反應(yīng)室內(nèi)設(shè)置有上述工件架，工件架通過共用電極板可拆卸連接在反應(yīng)室內(nèi)。本發(fā)明提供的工件架及鍍膜系統(tǒng)，電場均勻性提高，不需要通過附加裝置便能提高鍍膜均勻性和鍍膜效率，降低鍍膜成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種工件架及鍍膜系統(tǒng)。

背景技術(shù)

真空鍍膜是一種在高真空環(huán)境下，在金屬、塑料等工件表面上形成具有所需特性薄膜的一種工藝方法，其被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備制造等各個領(lǐng)域，用于改善工件的物理、化學(xué)性能，或使工件表面獲得較好的外觀美觀性。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)是真空鍍膜工藝的一種，按沉積腔室等離子源與工件的關(guān)系分為直接法和間接法，其中屬于直接法的板式PECVD結(jié)構(gòu)較為常見，即將工件放置在一個工件架上，再將工件架放入到一個反應(yīng)腔室中，反應(yīng)腔室內(nèi)部設(shè)有平板型的電極，電極與工件之間形成一個放電回路，腔室中的工藝氣體在兩個極板之間的交流電場的作用下在空間被電離形成等離子體，并沉積到工件表面進(jìn)行鍍膜。

目前，真空鍍膜系統(tǒng)中的工件架多采用圓筒式工件架，其是通過附加轉(zhuǎn)臺或旋轉(zhuǎn)裝置來實現(xiàn)工件架的可旋轉(zhuǎn)，以達(dá)到鍍膜均勻性的要求。但其存在以下缺點：

(1)由于其是通過電極板與真空腔室內(nèi)壁的不同極性來產(chǎn)生電場的，在同一腔室內(nèi)其產(chǎn)生的電場空間是有限的，且在電場中產(chǎn)生的等離子體需通過一定距離的擴(kuò)散運(yùn)動才能到達(dá)所需鍍膜的工件，鍍膜效率相對較低；

(2)由于其需要附加裝置來實現(xiàn)鍍膜均勻性，因此結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，成本較高，同時占用了較大部分的腔室面積。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個目的在于提供一種工件架，其電場均勻性好，鍍膜空間利用率高，鍍膜均勻性好，鍍膜效率高，有利于降低鍍膜成本。

本發(fā)明的另一個目的在于提供一種鍍膜系統(tǒng)，提高鍍膜效率和鍍膜質(zhì)量，降低鍍膜成本。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：

一種工件架，包括：

框架；

兩個側(cè)板，分別連接于所述框架的相對兩側(cè)，所述側(cè)板上開設(shè)有多個通孔；

前擋板，連接于所述框架的前側(cè)，兩個所述側(cè)板和所述前擋板合圍形成開口背向所述前擋板的容納腔，所述通孔與所述容納腔連通；

射頻電極板和接地電極板，均設(shè)置于所述容納腔內(nèi)，所述射頻電極板和所述接地電極板沿所述框架的高度方向間隔交替連接在所述框架上。

作為上述工件架的優(yōu)選技術(shù)方案，所述射頻電極板和所述接地電極板均可拆卸連接在所述框架上且高度位置可調(diào)。

作為上述工件架的優(yōu)選技術(shù)方案，沿所述側(cè)板的高度方向，多個所述通孔分成若干排等間隔分布在所述側(cè)板上，且每排中相鄰兩個所述通孔的間距相等。

作為上述工件架的優(yōu)選技術(shù)方案，沿垂直于所述前擋板的方向，每排中所述通孔的孔徑沿遠(yuǎn)離所述前擋板的方向按預(yù)設(shè)規(guī)律逐漸減小。

作為上述工件架的優(yōu)選技術(shù)方案，所述框架為由多根支撐桿圍設(shè)形成的六面體結(jié)構(gòu)，所述支撐桿包括多根豎直設(shè)置且形成所述六面體結(jié)構(gòu)側(cè)棱的第一支撐桿，所述框架的前側(cè)的兩根所述第一支撐桿上以及后側(cè)的兩根所述第一支撐桿上均沿所述框架的高度方向等間隔設(shè)置有若干插接凹槽，且同側(cè)的兩根所述第一支撐桿上的所述插接凹槽一一正對設(shè)置，所述插接凹槽用于插接所述射頻電極板和所述接地電極板。