[發明專利]一種晶粒高定向取向的釕濺射靶材及其制備方法

有效

• 申請號: 202010186065.5
• 申請日: 2020-03-17
• 公開（公告）號: CN111270210B
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發明（設計）人: 聞明;張仁耀;管偉明;郭俊梅;譚志龍;王傳軍;沈月;許彥婷;畢珺;普志輝
• 申請（專利權）人: 貴研鉑業股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;B22F3/105;B22F3/14;C23C14/35
• 代理公司: 昆明知道專利事務所(特殊普通合伙企業) 53116
• 代理人: 姜開俠;姜開遠

1.一種晶粒高定向取向的釕濺射靶材的制備方法，其特征在于所述釕濺射靶材呈現（002）晶面高定向取向，其致密度不低于99.5%，晶粒尺寸1~10μm，氧含量100 ppm以內，（002）晶面與（101）晶面積分強度比不低于3，所述釕濺射靶材按下列步驟制備：

（1）原料準備：選擇4N及以上純度的釕粉，粉末粒度為1～10 μm；

（2）冷壓成型：將粉末放入模具中進行冷壓成型，冷壓壓力為100～300 MPa，保壓時間為10～60 min；

（3）低溫微波燒結：將冷壓成型的錠坯進行微波燒結，首先抽真空至1×10^-2～1×10^-3Pa，再通入高純氫氣至1～10 Pa, 隨后升溫至300～600 ℃進行燒結，其中微波頻率為2.45GHz；

（4）低溫真空熱壓：將微波燒結后的釕靶錠坯進行真空熱壓燒結處理，燒結溫度為300～800 ℃，升溫速率為10～30 ℃/min，熱壓壓力為100～300 MPa，燒結時間為30～60 min，真空度為1×10^-3～1×10^-4 Pa，燒結時間到達后，按10~30 MPa/min的降壓速率降壓，錠坯隨爐冷卻，降溫至室溫后，取出錠坯；

（5）機加工：進行機加工處理得到需要尺寸的靶材產品。

2.根據權利要求1所述的晶粒高定向取向的釕濺射靶材的制備方法，其特征在于所述步驟3中升溫速率為10～50 ℃/min。

3.根據權利要求1所述的晶粒高定向取向的釕濺射靶材的制備方法，其特征在于所述步驟3中燒結時間為10～30 min。

4.根據權利要求1所述的晶粒高定向取向的釕濺射靶材的制備方法，其特征在于所述步驟3中，燒結時間到達后，錠坯隨爐冷卻，降溫至室溫后，關閉氫氣，取出錠坯。

5.根據權利要求1所述的晶粒高定向取向的釕濺射靶材的制備方法，其特征在于所述步驟4中的燒結溫度比步驟3的燒結溫度高50~200 ℃。