[發(fā)明專利]一種微型發(fā)光二極管顯示背板及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010184397.X | 申請日: | 2020-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN111244017A | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 郁杰;王俊星;朱充沛;高威;張良玉 | 申請(專利權)人: | 南京中電熊貓平板顯示科技有限公司;南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司;南京華東電子信息科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 210033 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 微型 發(fā)光二極管 顯示 背板 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明提出一種微型發(fā)光二極管顯示背板及其制造方法,涉及微型發(fā)光二極管領域,微型發(fā)光二極管顯示背板包括:顯示背板、位于顯示背板上陣列設置的第一電極、與第一電極鍵合且位于微型發(fā)光二極管底部的底部電極、微型發(fā)光二極管、包圍微型發(fā)光二極管側壁的熱塑性材料、位于微型發(fā)光二極管上方的第二電極以及覆蓋第二電極和微型發(fā)光二極管的第二封裝層,其中,所述微型發(fā)光二極管從下至上依次包括:P型半導體、多層量子阱以及N型半導體。本發(fā)明利用熱塑性材料進行轉移微型發(fā)光二極管,降低了巨量轉移的難度并提高轉移效率;且熱塑性材料可以充當包裹微型發(fā)光二極管的絕緣層及封裝層,對微型發(fā)光二極管起固定作用并保證其良率。
技術領域
本發(fā)明屬于微型發(fā)光二極管領域,具體涉及一種微型發(fā)光二極管顯示背板及其制造方法。
技術背景
隨著LED技術不斷發(fā)展,芯片尺寸逐漸微縮,Micro LED(微型發(fā)光二極管)顯示已成未來顯示行業(yè)的一大趨勢,Micro LED搭配巨量轉移技術可以結合不同的顯示背板,創(chuàng)造出透明、彎曲以及柔性等顯示效果,未來有機會成為主流顯示技術。
目前主流的巨量轉移技術包括以下幾類:(1)采用具有單、雙極結構的轉移頭的靜電力轉移方式,在轉移過程中分別施加正負電壓,利用靜電力從襯底上抓取Micro LED;(2)采用粘附力的轉移方式,使用彈性印模并結合高精度運動控制打印頭,利用范德華力讓Micro LED黏附在轉移頭上;(3)采用電磁力的轉移方式,在Micro LED上混入諸如鐵鈷鎳等磁性材料,利用電磁力進行吸附和釋放。
但上述Micro LED巨量轉移工藝及其相關的轉移器件制備均比較復雜,且存在轉移效率低、LED數(shù)量缺失、精度不高等缺點,此外上述方法只是單純轉移,轉移后絕緣層及封裝層還需要另外的制程,增加了Micro LED的制作成本。
發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種微型發(fā)光二極管顯示背板及其制造方法,通過熱塑性材料整面轉移和釋放微型發(fā)光二極管,提高巨量轉移的成功率。
本發(fā)明的技術方案如下:
本發(fā)明公開了一種微型發(fā)光二極管顯示背板的制造方法,包括以下步驟:
S1:暫態(tài)基板上形成陣列設置的底部電極和形成位于每個底部電極上的微型發(fā)光二極管;
S2:首先將具有絕緣性的熱塑性材料加熱至其熔融溫度,然后將熔融的熱塑性材料涂布并覆蓋在底部電極和微型發(fā)光二極管上,最后降低溫度,熱塑性材料固化并包裹住微型發(fā)光二極管;
S3:對暫態(tài)基板進行解膠使其與微型發(fā)光二極管分離,用轉移頭拾取熱塑性材料轉移走微型發(fā)光二極管和底部電極;
S4:將微型發(fā)光二極管與顯示背板對位貼合;
S5:加熱顯示背板至焊接溫度使底部電極與顯示背板上的第一電極鍵合,待熱塑性材料完全熔融填充進顯示背板的間隙后降溫固化熱塑性材料;
S6:形成位于每個微型發(fā)光二極管上的第二電極和覆蓋第二電極的第二封裝層;
其中,焊接溫度高于熔融溫度。
優(yōu)選地,步驟S2所述的熔融的熱塑性材料涂布并覆蓋在底部電極和微型發(fā)光二極管上,包括:熔融的熱塑性材料通過轉印或旋涂或狹縫涂布的方式涂布在具有微型發(fā)光二極管的暫態(tài)基板上。
優(yōu)選地,所述轉移頭采用粘附力或機械力的方式對熱塑性材料進行拾取。
優(yōu)選地,所述熱塑性材料添加有著色劑。
優(yōu)選地,在步驟S6之前還包括如下步驟:
對熱塑性材料進行二次加熱熔融使熱塑性材料均勻填充在顯示背板上,然后降溫固化。
優(yōu)選地,在步驟S1之前,還包括以下步驟:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





