[發明專利]玻璃層疊襯底上的EMIB貼片

在審

• 申請號: 202010184297.7
• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN111710656A
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: R·贊克曼;R·梅
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/768
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝

1.一種電子封裝，包括：

增強襯底；

多個穿襯底過孔，所述多個穿襯底過孔穿過所述增強襯底；

電介質襯底，所述電介質襯底在所述增強襯底上方；

腔體，所述腔體進入到所述電介質襯底中；以及

部件，所述部件在所述腔體中。

2.根據權利要求1所述的電子封裝，其中，所述部件是電橋。

3.根據權利要求2所述的電子封裝，其中，所述多個穿襯底過孔具有第一間距，并且其中，所述電橋所具有的觸點具有小于所述第一間距的第二間距。

4.根據權利要求1、2或3所述的電子封裝，還包括：

所述部件上方的電介質層，其中，所述電介質層填充所述腔體。

5.根據權利要求4所述的電子封裝，其中，穿過所述電介質層形成多個過孔。

6.根據權利要求5所述的電子封裝，其中，所述多個穿襯底過孔具有第一間距，并且其中，所述多個過孔具有第二間距。

7.根據權利要求6所述的電子封裝，其中，所述第一間距等于所述第二間距。

8.根據權利要求7所述的電子封裝，其中，每個所述穿襯底過孔與所述多個過孔中的一個對準。

9.根據權利要求6所述的電子封裝，其中，所述第一間距不同于所述第二間距。

10.根據權利要求9所述的電子封裝，其中，在所述電介質襯底中實現從所述第一間距到所述第二間距的間距轉換。

11.根據權利要求1、2或3所述的電子封裝，其中，所述增強襯底的楊氏模量大于所述電介質襯底的楊氏模量。

12.根據權利要求11所述的電子封裝，其中，所述增強襯底的楊氏模量在60GPa和100GPa之間。

13.根據權利要求1、2或3所述的電子封裝，其中，所述增強襯底的熱膨脹系數(CTE)在2ppm和10ppm之間。

14.根據權利要求1、2或3所述的電子封裝，還包括：

第一管芯，所述第一管芯在所述電介質襯底上方；以及

第二管芯，所述第二管芯在所述電介質襯底上方，其中，所述第一管芯通過所述部件電耦合到所述第二管芯。

15.根據權利要求1、2或3所述的電子封裝，其中，所述增強襯底的邊緣從所述電介質襯底的邊緣凹入。

16.一種電子系統，包括：

板；

中介層，所述中介層在所述板上方；以及

電子封裝，所述電子封裝在所述中介層上方，其中，所述電子封裝包括：

增強襯底；

多個穿襯底過孔，所述多個穿襯底過孔穿過所述增強襯底；

電介質襯底，所述電介質襯底在所述增強襯底上方；

腔體，所述腔體進入到所述電介質襯底中；以及

部件，所述部件在所述腔體中。

17.根據權利要求16所述的電子系統，還包括：

第一管芯，所述第一管芯在所述電子封裝上方；以及

第二管芯，所述第二管芯在所述電子封裝上方。

18.根據權利要求17所述的電子系統，其中，所述第一管芯通過所述部件電耦合到所述第二管芯。

19.根據權利要求16、17或18所述的電子系統，其中，所述電子封裝還包括：

所述電介質襯底上方的電介質層，其中，穿過所述電介質層形成過孔。