[發明專利]微元件巨量轉移裝置及其方法在審
| 申請號: | 202010183836.5 | 申請日: | 2020-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN113410157A | 公開(公告)日: | 2021-09-17 |
| 發明(設計)人: | 張雪;林子平;李劉中;安金鑫;肖守均 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677;H01L27/15 |
| 代理公司: | 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281 | 代理人: | 李發兵 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 元件 巨量 轉移 裝置 及其 方法 | ||
本發明屬于半導體顯示制造技術領域,其提供了一種微元件巨量轉移裝置及其方法,所述微元件巨量轉移裝置包括:第一傳輸裝置、轉移組件和第二傳輸裝置;轉移組件包括轉移箱,轉移箱包括微元件入口和微元件出口;轉移組件還包括設置在轉移箱內部的多條用于承載和傳遞微元件的傳遞組件,傳遞組件包括軌道和驅動軌道運轉的驅動機構;第二傳輸裝置用于將從轉移箱的軌道上傳輸過來的微元件投放至對應的基板上。通過采用本發明實施例的微元件巨量轉移裝置高效地實現了Micro?LED微元件的巨量轉移,達到了提高Micro?LED生成效率和良率的目的。
技術領域
本公開涉及半導體顯示制造技術領域,尤其涉及一種微元件巨量轉移裝置及一種微元件巨量轉移方法。
背景技術
Micro-LED(Micro Light Emitting Diode,微發光二極管)是新一代顯示技術,比現有的OLED技術亮度更高、發光效果更好,但功耗更低。Micro-LED技術,即LED微縮化和矩陣化技術,指的是在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的微縮版,將像素點距離從毫米級降低至微米級。然而在Micro-LED技術中,微型化LED制程包括首先將LED結構設計進行薄膜化、微小化和陣列化,使其尺寸在1~250um左右,隨后將微型化紅、綠、藍三色的LED微元件批量式轉移至電路基板上,再利用物理沉積方法完成保護層與上電極,最后進行上基板的封裝。而在現有的技術中,由于其缺乏將紅、綠、藍三色的LED微元件進行快速批量分揀和轉移的設備,故其極大地制約了Micro-LED的快速生產。
發明內容
有鑒于此,本公開實施例提供一種應用于微發光二極管中微元件的巨量轉移裝置及方法,至少部分解決現有技術中存在的問題。
第一方面,本公開實施例提供了一種微元件巨量轉移裝置,其包括:
第一傳輸裝置、轉移組件和第二傳輸裝置;所述轉移組件設置在所述第一傳輸裝置和所述第二傳輸裝置之間;
所述第一傳輸裝置用于將生長基板上的微元件傳送至所述轉移組件;
所述轉移組件包括用于暫存所述微元件的轉移箱,所述轉移箱包括三組微元件入口和微元件出口,且三組所述微元件入口和微元件出口的形狀分別與所述生長基板上生長的第一微元件、第二微元件、第三微元件的形狀一一相對應;
三組所述微元件入口均朝向所述第一傳輸裝置開設,用于接收所述第一傳輸裝置傳輸的所述第一微元件、所述第二微元件和所述第三微元件,三組所述微元件出口均朝向所述第二傳輸裝置開設,用于將進入所述轉移箱內的所述第一微元件、所述第二微元件和所述第三微元件傳輸至所述第二傳輸裝置;
每組所述微元件入口和所述微元件出口之間設有用于分別容置與傳輸所述第一微元件、所述第二微元件和所述第三微元件的傳遞組件;
所述第二傳輸裝置用于將從每組所述微元件出口傳輸出來的微元件投放至目的基板上。
在本發明中,所述傳遞組件包括:軌道和驅動所述軌道運轉的驅動機構,所述軌道沿所述微元件入口向所述微元件出口傳遞的方向開設,用以將所述微元件從所述微元件入口輸送至所述微元件出口。
在本發明中,所述轉移組件還包括:輸送機構,所述轉移箱設置在所述輸送機構上,用于在所述輸送機構的作用下進行移動以將所述轉移箱的微元件出口位置移動至與微元件在所述目的基板上的放置位置對應處。
在本發明中,所述微元件巨量轉移裝置還包括:用于檢測所述轉移箱與基板位置是否對準的位置感應組件,所述位置感應組件包括設置在所述微元件出口一側的感應信號發射器和設置在所述基板一側的與所述感應信號發射器匹配的感應信號接收器。
在本發明中,所述轉移箱包括:用于分別承載和傳遞所述第一微元件、第二微元件、第三微元件的第一暫存空間、第二暫存空間和第三暫存空間,所述第一暫存空間與所述第二暫存空間之間設置有第一擋板,所述第二暫存空間和所述第三暫存空間之間設置有第二擋板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





