[發明專利]顯示背板及其制作方法和顯示裝置有效
| 申請號: | 202010183608.8 | 申請日: | 2020-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN111370426B | 公開(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發明(設計)人: | 黃勇潮;程磊磊;劉軍;成軍;王慶賀;倪柳松;丁遠奎;周斌;閆梁臣 | 申請(專利權)人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 尹璐 |
| 地址: | 230012 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 背板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
本發明提供了顯示背板及其制作方法和顯示裝置。該顯示背板包括:襯底基板;設置在襯底基板的部分表面上的遮光層,具有凸起部;設置在襯底基板的表面上和遮光層遠離襯底基板的表面上的緩沖層,緩沖層上具有開口,凸起部的至少一部分位于開口中;設置在緩沖層和凸起部遠離襯底基板的表面上的薄膜晶體管陣列層,薄膜晶體管陣列層中的源極、漏極通過層間絕緣層中的通孔與位于所述開口中的所述凸起部相接觸,位于開口中的凸起部遠離襯底基板的部分表面與襯底基板之間的距離大于緩沖層遠離襯底基板的表面與襯底基板之間的距離。該顯示背板的制作工藝簡單、易于生產,不易產生光刻膠殘留不良和Mura不良,從而使得顯示裝置的顯示質量高,顯示效果好。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體地,涉及顯示背板及其制作方法和顯示裝置。
背景技術
在相關技術中,顯示背板的制作工藝仍然耗時較長、生產效率低;另外,顯示背板在組裝成顯示裝置以后較易出現光刻膠殘留的不良和Mura不良,進而導致顯示裝置的顯示質量較低,顯示效果不好。
因而,現有的顯示背板的相關技術仍有待改進。
發明內容
本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此,本發明的一個目的在于提出一種制作工藝簡單、易于生產、不易產生光刻膠殘留不良、不易產生Mura不良或者可使得顯示裝置的顯示質量高、顯示效果好的顯示背板。
在本發明的一個方面,本發明提供了一種顯示背板。根據本發明的實施例,該顯示背板包括:襯底基板;遮光層,所述遮光層設置在所述襯底基板的部分表面上,且所述遮光層具有凸起部;緩沖層,所述緩沖層設置在所述襯底基板的表面上和所述遮光層遠離所述襯底基板的表面上,且所述緩沖層上具有開口,所述凸起部的至少一部分位于所述開口中;薄膜晶體管陣列層,所述薄膜晶體管陣列層設置在所述緩沖層和所述凸起部遠離所述襯底基板的表面上,且所述薄膜晶體管陣列層中的源極或漏極通過層間絕緣層中的通孔與位于所述開口中的所述凸起部相接觸,其中,位于所述開口中的所述凸起部遠離所述襯底基板的部分表面與所述襯底基板之間的距離大于所述緩沖層遠離所述襯底基板的表面與所述襯底基板之間的距離。該顯示背板的制作工藝簡單、易于生產,不易產生光刻膠殘留不良和Mura不良,從而使得顯示裝置的顯示質量高,顯示效果好。
根據本發明的實施例,所述凸起部的最大高度為
根據本發明的實施例,所述凸起部與所述源極或者所述漏極的接觸面積不小于19μm2。
根據本發明的實施例,所述凸起部的形狀為半球形或者半橢球形。
根據本發明的實施例,所述凸起部的最大寬度為6μm~10μm。
根據本發明的實施例,所述顯示背板還包括:凸起結構,所述凸起結構設置在所述遮光層和所述襯底基板之間,位于所述凸起結構遠離所述襯底基板的表面上的部分遮光層構造成所述凸起部。
根據本發明的實施例,所述凸起結構的形狀與所述凸起部的形狀相同。
根據本發明的實施例,形成所述凸起結構的材料為有機材料。
在本發明的另一個方面,本發明提供了一種制作前面所述的顯示背板的方法。根據本發明的實施例,該方法包括:在襯底基板的部分表面上形成具有凸起部的遮光層;在所述襯底基板的表面上和所述遮光層遠離所述襯底基板的表面上形成緩沖層;在所述緩沖層上形成開口,并使所述凸起部的至少一部分位于所述開口中,位于所述開口中的所述凸起部遠離所述襯底基板的部分表面與所述襯底基板之間的距離大于所述緩沖層遠離所述襯底基板的表面與所述襯底基板之間的距離;在所述緩沖層和所述凸起部遠離所述襯底基板的表面上形成薄膜晶體管陣列層,并使所述薄膜晶體管陣列層中源極或者漏極通過層間絕緣層的通孔與位于所述開口中的所述凸起部相接觸。該方法操作簡單、方便,容易實現,易于工業化生產,且可以有效制作得到前面所述的顯示背板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





