[發(fā)明專利]顯示背板及其制作方法和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010183608.8 | 申請日: | 2020-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN111370426B | 公開(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃勇潮;程磊磊;劉軍;成軍;王慶賀;倪柳松;丁遠(yuǎn)奎;周斌;閆梁臣 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 尹璐 |
| 地址: | 230012 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 背板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示背板,其特征在于,包括:
襯底基板;
遮光層,所述遮光層設(shè)置在所述襯底基板的部分表面上,且所述遮光層具有凸起部;
緩沖層,所述緩沖層設(shè)置在所述襯底基板的表面上和所述遮光層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面上,且所述緩沖層上具有開口,所述凸起部的至少一部分位于所述開口中;
薄膜晶體管陣列層,所述薄膜晶體管陣列層設(shè)置在所述緩沖層和所述凸起部遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面上,且所述薄膜晶體管陣列層中的源極或漏極通過層間絕緣層中的通孔與位于所述開口中的所述凸起部相接觸,
其中,位于所述開口中的所述凸起部遠(yuǎn)離所述襯底基板的部分表面與所述襯底基板之間的距離大于所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面與所述襯底基板之間的距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示背板,其特征在于,所述凸起部的最大高度為
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示背板,其特征在于,所述凸起部與所述源極或者所述漏極的接觸面積不小于19μm2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示背板,其特征在于,所述凸起部的形狀為半球形或者半橢球形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示背板,其特征在于,所述凸起部的最大寬度為6μm~10μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項所述的顯示背板,其特征在于,還包括:
凸起結(jié)構(gòu),所述凸起結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述遮光層和所述襯底基板之間,位于所述凸起結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面上的部分遮光層構(gòu)造成所述凸起部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示背板,其特征在于,所述凸起結(jié)構(gòu)的形狀與所述凸起部的形狀相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示背板,其特征在于,形成所述凸起結(jié)構(gòu)的材料為有機(jī)材料。
9.一種制作權(quán)利要求1~8中任一項所述的顯示背板的方法,其特征在于,包括:
在襯底基板的部分表面上形成具有凸起部的遮光層;
在所述襯底基板的表面上和所述遮光層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面上形成緩沖層;
在所述緩沖層上形成開口,并使所述凸起部的至少一部分位于所述開口中,位于所述開口中的所述凸起部遠(yuǎn)離所述襯底基板的部分表面與所述襯底基板之間的距離大于所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面與所述襯底基板之間的距離;
在所述緩沖層和所述凸起部遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面上形成薄膜晶體管陣列層,并使所述薄膜晶體管陣列層中源極或者漏極通過層間絕緣層的通孔與位于所述開口中的所述凸起部相接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,在所述襯底基板的部分表面上形成具有所述凸起部的所述遮光層的步驟包括:
在所述襯底基板的部分表面上形成凸起結(jié)構(gòu);
在所述襯底基板的部分表面上和所述凸起結(jié)構(gòu)的表面上形成所述遮光層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,形成所述凸起結(jié)構(gòu)的工藝包括涂膠、光刻或者噴墨打印中的至少一種。
12.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1~8中任一項所述的顯示背板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





