[發明專利]三維存儲器及其制作方法

有效

• 申請號: 202010183344.6
• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN111370423B
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發明（設計）人: 張坤;吳林春;劉磊;周文犀;夏志良
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H10B43/30
• 分類號: H10B43/30;H10B43/27
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

1.一種三維存儲器，其特征在于，包括：

堆棧層，包括多個縱向交替堆疊的柵極層和層間絕緣層，所述堆棧層包括存儲陣列區，所述存儲陣列區包括縱向貫穿所述存儲陣列區的存儲串溝道結構和柵極線狹縫；

位于所述堆棧層外圍的貫穿陣列區，所述貫穿陣列區包括縱向貫穿所述貫穿陣列區的第一通道觸點；

形成于所述堆棧層頂部，并連接所述存儲串溝道結構的半導體層，所述半導體層具有一共源極引出點；所述存儲串溝道結構包括縱向貫穿所述堆棧層的半導體溝道層，且所述半導體溝道層與所述堆棧層頂部的半導體層直接連接；以及，

形成于所述半導體層上方，并連接所述共源極引出點和所述第一通道觸點的共源極導電結構；

所述半導體層還形成于所述貫穿陣列區的頂部，所述共源極導電結構貫穿所述半導體層，并與所述第一通道觸點連接。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述共源極引出點位于所述柵極線狹縫的頂部，以與所述柵極線狹縫構成氫氣通道。

3.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述共源極引出點包括N型摻雜區。

4.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述柵極線狹縫中填充有絕緣材料。

5.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述存儲串溝道結構還包括圍繞所述半導體溝道層周側設置的存儲介質層。

6.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括形成于所述半導體層上的絕緣層；

所述共源極導電結構形成于所述絕緣層上，且所述共源極導電結構的一端貫穿所述第一通道觸點頂部的所述絕緣層和所述半導體層，與所述第一通道觸點連接，另一端貫穿所述共源極引出點上的所述絕緣層，與所述共源極引出點連接。

7.根據權利要求6所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括覆蓋在所述絕緣層和所述共源極導電結構上的阻擋層。

8.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括鍵合在所述堆棧層底部和所述貫穿陣列區底部的器件層；

所述器件層與所述堆棧層和所述貫穿陣列區鍵合，構成電性互連結構。

9.根據權利要求8所述的三維存儲器，其特征在于，所述第一通道觸點的底部還設有第一鍵合接口，所述器件層的頂部還設有第二鍵合接口；

所述第一鍵合接口與所述第二鍵合接口連接，使所述器件層、所述第二鍵合接口、所述第一鍵合接口、所述第一通道觸點和所述共源極導電結構構成連接通路。

10.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述貫穿陣列區還包括位于所述第一通道觸點背離所述堆棧層的一側，且縱向貫穿所述貫穿陣列區的第二通道觸點；

所述第二通道觸點的頂部設有焊盤引出點。

11.一種三維存儲器的制作方法，其特征在于，包括：

形成堆棧層；所述堆棧層包括多個縱向交替堆疊的柵極層和層間絕緣層，所述堆棧層包括存儲陣列區，所述存儲陣列區包括縱向貫穿所述存儲陣列區的存儲串溝道結構和柵極線狹縫；

在所述堆棧層的外圍形成貫穿陣列區，所述貫穿陣列區包括縱向貫穿所述貫穿陣列區的第一通道觸點；

在所述堆棧層的頂部形成連接所述存儲串溝道結構的半導體層，所述半導體層具有一共源極引出點；所述存儲串溝道結構包括縱向貫穿所述堆棧層的半導體溝道層，且所述半導體溝道層與所述堆棧層頂部的半導體層直接連接；以及，

在所述半導體層的上方形成連接所述共源極引出點和所述第一通道觸點的共源極導電結構；所述半導體層還形成于所述貫穿陣列區的頂部，所述共源極導電結構貫穿所述半導體層，并與所述第一通道觸點連接。