[發明專利]電阻式存儲器和操作存儲器的方法

在審

• 申請號: 202010180860.3
• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN112242164A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 白鐘民;金真憐;辛埈昊
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 史泉;張川緒

1.一種電阻式存儲器，包括：

存儲器單元陣列，包括多個電阻式存儲器單元，所述多個電阻式存儲器單元連接到多條字線和多條位線；

寫入/讀取電路，通過行解碼器和通過列解碼器連接到存儲器單元陣列，寫入/讀取電路被配置為執行將寫入數據寫入存儲器單元陣列的目標頁的寫入操作，并被配置為通過將從目標頁讀取的讀取數據與寫入數據進行比較來驗證寫入操作；和

控制電路，被配置為控制行解碼器、列解碼器和寫入/讀取電路中的至少一個，控制電路被配置為控制選擇的存儲器單元經受的電阻，所述電阻基于從接入點到存儲器單元陣列中的選擇的存儲器單元的距離，所述距離基于地址。

2.根據權利要求1所述的電阻式存儲器，其中，控制電路被配置為基于第一距離和第二距離中的至少一個來控制所述電阻，

其中，第一距離對應于從第一接入點到選擇的存儲器單元的距離，第一接入點對應于將選擇的存儲器單元結合到所述多條字線中的選擇的字線的行選擇開關，并且

其中，第二距離對應于從第二接入點到選擇的存儲器單元的距離，第二接入點對應于將選擇的存儲器單元結合到所述多條位線中的選擇的位線的列選擇開關。

3.根據權利要求2所述的電阻式存儲器，其中，控制電路被配置為：響應于第一距離指示選擇的存儲器單元是近單元并且第一距離相對小，控制施加到行選擇開關的第一選擇信號的電壓電平，使得行選擇開關的電阻增大，

其中，控制電路被配置為：響應于第一距離指示選擇的存儲器單元是遠單元并且第一距離相對大，控制施加到行選擇開關的第一選擇信號的電壓電平，使得行選擇開關的電阻減小，

其中，控制電路被配置為：響應于第二距離指示選擇的存儲器單元是近單元并且第二距離相對小，控制施加到列選擇開關的第二選擇信號的電壓電平，使得列選擇開關的電阻增大，或者

其中，控制電路被配置為：響應于第二距離指示選擇的存儲器單元是遠單元并且第二距離相對大，控制施加到列選擇開關的第二選擇信號的電壓電平，使得列選擇開關的電阻減小。

4.根據權利要求1所述的電阻式存儲器，其中，控制電路被配置為基于第一距離和第二距離來控制第一電壓的電平和第二電壓的電平，

其中，第一距離對應于從第一接入點到選擇的存儲器單元的距離，第一接入點對應于將選擇的存儲器單元結合到所述多條字線中的選擇的字線的行選擇開關，行選擇開關的柵極接收第一電壓，并且

其中，第二距離對應于從第二接入點到選擇的存儲器單元的距離，第二接入點對應于將選擇的存儲器單元結合到所述多條位線中的選擇的位線的列選擇開關，列選擇開關的柵極接收第二電壓。

5.根據權利要求1所述的電阻式存儲器，其中，控制電路被配置為對所述多條位線中的選擇的位線預充電，選擇的位線連接到選擇的存儲器單元，預充電的處理包括控制寫入/讀取電路以多步增大選擇的位線的電壓電平，并且控制電路被配置為基于從接入點到選擇的存儲器單元的距離來調節多步的數量。

6.根據權利要求5所述的電阻式存儲器，其中，控制電路被配置為：控制寫入/讀取電路以N步對選擇的位線預充電，其中，N是大于一的自然數。

7.根據權利要求5所述的電阻式存儲器，其中，控制電路被配置為：響應于選擇的存儲器單元相對靠近接入點，控制寫入/讀取電路以N步對選擇的位線預充電，N是大于二的自然數，或者

其中，控制電路被配置為：響應于選擇的存儲器單元相對遠離接入點，控制寫入/讀取電路以M步對選擇的位線預充電，M是大于一且小于N的自然數。

8.根據權利要求1所述的電阻式存儲器，其中，控制電路被配置為控制寫入/讀取電路通過所述多條字線中的選擇的字線將具有多步的編程電流施加到選擇的存儲器單元，選擇的字線連接到選擇的存儲器單元，并且控制電路被配置為基于從接入點到選擇的存儲器單元的距離來調節多步的數量。

9.根據權利要求8所述的電阻式存儲器，其中，控制電路被配置為：控制寫入/讀取電路將具有N步的編程電流施加到選擇的存儲器單元，N是大于一的自然數。