[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010180730.X
• 申請(qǐng)日: 2020-03-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111724828A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林泰洙;樸景旭;李根;韓赫
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G11C5/02
• 分類(lèi)號(hào): G11C5/02;G11C16/08;G11C16/24;H01L27/11563;H01L27/11565;H01L27/11568;H01L27/11578;H01L29/732
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

提供了一種半導(dǎo)體器件和一種制造半導(dǎo)體器件的設(shè)備。所述半導(dǎo)體器件包括：交替堆疊在襯底上的柵電極和層間絕緣層；溝道結(jié)構(gòu)，所述溝道結(jié)構(gòu)在第一方向上彼此間隔開(kāi)并豎直地穿過(guò)所述柵電極和所述層間絕緣層延伸到所述襯底；以及第一分隔區(qū)域，所述第一分隔區(qū)域豎直地延伸穿過(guò)所述柵電極和所述層間絕緣層。每個(gè)柵電極包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層設(shè)置在所述第二導(dǎo)電層與兩個(gè)相鄰的層間絕緣層中的每個(gè)層間絕緣層之間。在每個(gè)柵電極的位于與所述第一分隔區(qū)域相鄰的最外面的溝道結(jié)構(gòu)與所述第一分隔區(qū)域之間的第一區(qū)域中，所述第一導(dǎo)電層的厚度朝向所述第一分隔區(qū)域減小，并且所述第二導(dǎo)電層的厚度朝向所述第一分隔區(qū)域增大。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2019年3月21日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.10-2019-0032477和于2019年7月16日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.10-2019-0085709的優(yōu)先權(quán)，通過(guò)引用的方式將這些韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容全部合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體器件和用于制造半導(dǎo)體器件的設(shè)備。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件已經(jīng)在尺寸上減小，并且被設(shè)計(jì)為存儲(chǔ)大容量數(shù)據(jù)。因此，必須提高包括在半導(dǎo)體器件中的晶體管的集成密度。為了半導(dǎo)體器件的更高的集成密度，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了代替平面晶體管結(jié)構(gòu)的垂直晶體管結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

示例實(shí)施例提供具有提高的可靠性的半導(dǎo)體器件和用于制造該半導(dǎo)體器件的設(shè)備。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件包括：交替堆疊在襯底上的多個(gè)柵電極和多個(gè)層間絕緣層；多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)在第一方向上彼此間隔開(kāi)并豎直地穿過(guò)所述多個(gè)柵電極和所述多個(gè)層間絕緣層延伸到所述襯底；以及第一分隔區(qū)域，所述第一分隔區(qū)域豎直地延伸穿過(guò)所述多個(gè)柵電極和所述多個(gè)層間絕緣層。每個(gè)柵電極包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層設(shè)置在所述第二導(dǎo)電層與兩個(gè)相鄰的層間絕緣層中的每個(gè)層間絕緣層之間。在每個(gè)柵電極的位于與所述第一分隔區(qū)域相鄰的最外面的溝道結(jié)構(gòu)與所述第一分隔區(qū)域之間的第一區(qū)域中，所述第一導(dǎo)電層的厚度朝向所述第一分隔區(qū)域減小，并且所述第二導(dǎo)電層的厚度朝向所述第一分隔區(qū)域增大。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件包括：多個(gè)柵電極，所述多個(gè)柵電極豎直地堆疊成在襯底上彼此間隔開(kāi)；多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)豎直地穿過(guò)所述多個(gè)柵電極延伸到所述襯底；以及分隔區(qū)域，所述分隔區(qū)域延伸穿過(guò)所述多個(gè)柵電極。每個(gè)柵電極包括具有與最外面的溝道結(jié)構(gòu)相鄰的側(cè)向凹陷區(qū)域的第一導(dǎo)電層和設(shè)置在所述側(cè)向凹陷區(qū)域中的第二導(dǎo)電層，所述最外面的溝道結(jié)構(gòu)與所述分隔區(qū)域相鄰。所述側(cè)向凹陷區(qū)域的寬度朝向所述最外面的溝道結(jié)構(gòu)減小。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，一種制造半導(dǎo)體器件的設(shè)備包括：氣體供應(yīng)單元，所述氣體供應(yīng)單元包括第一沉積氣體源、第二沉積氣體源和蝕刻氣體源；工藝腔室，所述工藝腔室連接到所述氣體供應(yīng)單元；氣體注入單元，所述氣體注入單元設(shè)置在所述工藝腔室中，并且包括連接到所述第一沉積氣體源、所述第二沉積氣體源和所述蝕刻氣體源的氣體供應(yīng)通道；以及控制器，所述控制器被配置為控制所述氣體供應(yīng)單元，使得順序地執(zhí)行第一沉積工藝、蝕刻工藝和第二沉積工藝，在所述第一沉積工藝中，經(jīng)由所述氣體注入單元向所述工藝腔室交替地供應(yīng)所述第一沉積氣體源的第一工藝氣體和所述第二沉積氣體源的第二工藝氣體，在蝕刻工藝中，經(jīng)由所述氣體注入單元向所述工藝腔室供應(yīng)所述蝕刻氣體源的第三工藝氣體，在第三沉積工藝中，經(jīng)由所述氣體注入單元向所述工藝腔室交替地供應(yīng)所述第一沉積氣體源的所述第一工藝氣體和所述第二沉積氣體源的所述第二工藝氣體。

附圖說(shuō)明

通過(guò)以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，將更加清楚地理解本發(fā)明構(gòu)思的上述以及其他方面、特征和優(yōu)點(diǎn)，其中：

圖1是根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性框圖；

圖2是根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的單元陣列的等效電路圖；