[發明專利]半導體器件和制造半導體器件的設備

在審

• 申請號: 202010180730.X
• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN111724828A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 林泰洙;樸景旭;李根;韓赫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C5/02
• 分類號: G11C5/02;G11C16/08;G11C16/24;H01L27/11563;H01L27/11565;H01L27/11568;H01L27/11578;H01L29/732
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

交替堆疊在襯底上的多個柵電極和多個層間絕緣層；

多個溝道結構，所述多個溝道結構在第一方向上彼此間隔開并豎直地穿過所述多個柵電極和所述多個層間絕緣層延伸到所述襯底；以及

第一分隔區域，所述第一分隔區域豎直地延伸穿過所述多個柵電極和所述多個層間絕緣層，

其中，所述多個柵電極中的每個柵電極包括第一導電層和第二導電層，所述第一導電層設置在所述第二導電層與所述多個層間絕緣層中的兩個相鄰的層間絕緣層中的每個層間絕緣層之間，并且

在所述多個柵電極中的每個柵電極的位于所述多個溝道結構中的與所述第一分隔區域相鄰的最外面的溝道結構與所述第一分隔區域之間的第一區域中，所述第一導電層的厚度朝向所述第一分隔區域減小，并且所述第二導電層的厚度朝向所述第一分隔區域增大。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一導電層與所述第二導電層之間的界面在所述第一區域中相對于所述第一方向傾斜。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中，所述第一導電層與所述第二導電層之間的所述界面在所述多個柵電極中的每個柵電極的位于所述多個溝道結構中的兩個相鄰的溝道結構之間的第二區域中基本上平行于所述第一方向。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一導電層還設置在所述第二導電層與所述多個溝道結構中的每個溝道結構的側壁之間。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一導電層包括位于所述兩個相鄰的層間絕緣層中的每個層間絕緣層上的第一成核層以及堆疊在所述第一成核層上的第一主體層。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，

其中，所述第二導電層包括與所述第一導電層接觸的第二成核層和堆疊在所述第二成核層上的第二主體層。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，

其中，所述第一成核層和所述第二成核層均具有非晶結構，并且所述第一主體層和所述第二主體層均具有晶體結構。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，所述半導體器件還包括：

柵極介電層，所述柵極介電層設置在所述溝道結構與所述柵電極之間，

其中，所述柵極介電層在所述層間絕緣層與所述第一導電層之間延伸。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，

其中，所述第二導電層在與所述第一導電層的邊緣部分相鄰的區域中與所述柵極介電層接觸。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一區域中的所述第一導電層的厚度在0.1nm至3nm的范圍內，所述第一區域中的所述第二導電層的厚度在10nm至30nm的范圍內。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一分隔區域包括連接到所述襯底的源極導電層以及設置在所述源極導電層與所述多個柵電極中的每個柵電極之間的源極絕緣層。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，

其中，所述源極絕緣層包括多個突起，每個所述突起設置在所述多個層間絕緣層中的兩個相鄰的層間絕緣層之間。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，所述半導體器件還包括：

第二分隔區域，所述第二分隔區域在所述第一方向上與所述第一分隔區域間隔開，

其中，在所述第一分隔區域與所述第二分隔區域之間，所述第一導電層的形狀與所述第二導電層的形狀在第一方向上基本上對稱。