[發明專利]包括垂直存儲器的集成電路裝置

在審

• 申請號: 202010180450.9
• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN112071853A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 金寬容;沈善一;趙源錫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 田野;尹淑梅

提供了一種集成電路裝置，所述集成電路裝置包括多條字線、堆疊在多條字線上的串選擇線結構以及在豎直方向上延伸穿過多條字線和串選擇線結構的多個溝道結構。串選擇線結構包括串選擇彎折線，串選擇彎折線包括在比多條字線的水平高的第一水平處沿水平方向延伸的下水平延伸部、在比第一水平高的第二水平處沿水平方向延伸的上水平延伸部以及連接在下水平延伸部與上水平延伸部之間的豎直延伸部。

要求于2019年6月11日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0068802號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的公開內容通過引用被全部包含于此。

技術領域

發明構思涉及集成電路裝置，更具體地，涉及包括垂直存儲器的集成電路裝置。

背景技術

隨著信息通信設備變得多功能，對更高存儲器容量和更高集成度的需求增大。另外，由于隨著存儲器單元尺寸減小，存儲器電路和線結構的操作和電連接正變得越來越復雜。

發明內容

根據發明構思的方面，提供了一種集成電路裝置，所述集成電路裝置包括：基底，包括主表面；多條字線，在基底之上沿與基底的主表面平行的水平方向延伸并在豎直方向上彼此疊置；串選擇線結構，堆疊在多條字線上；以及多個溝道結構，在豎直方向上延伸穿過所述多條字線和串選擇線結構。串選擇線結構包括串選擇彎折線，串選擇彎折線包括在比所述多條字線高的第一水平處沿水平方向延伸的下水平延伸部、在比第一水平高的第二水平處沿水平方向延伸的上水平延伸部以及連接在下水平延伸部與上水平延伸部之間的豎直延伸部。

根據發明構思的另一方面，提供了一種集成電路裝置，所述集成電路裝置包括：基底，包括主表面；以及一對字線切割區域，在基底之上在第一水平方向上縱向地延伸，并且在與第一水平方向垂直的第二水平方向上彼此間隔開，單元塊區域位于所述一對字線切割區域之間，其中，第一水平方向和第二水平方向與基底的主表面平行。集成電路裝置還包括：多條字線，在單元塊區域中沿與基底的主表面平行的第三水平方向延伸，并且在豎直方向上彼此疊置；串選擇線結構，在單元塊區域中堆疊在所述多條字線上；以及多個溝道結構，在單元塊區域中在豎直方向上延伸穿過所述多條字線和串選擇線結構。串選擇線結構包括串選擇彎折線，串選擇彎折線包括在比所述多條字線高的第一水平處沿水平方向延伸的下水平延伸部、在比第一水平高的第二水平處沿水平方向延伸的上水平延伸部以及連接在下水平延伸部與上水平延伸部之間的豎直延伸部。

根據發明構思的另一方面，提供了一種集成電路裝置，所述集成電路裝置包括：基底；多個字線切割區域，布置在基底之上；以及多個單元塊區域，逐個地分別布置在所述多個字線切割區域之間并且均包括串選擇線結構。在所述多個單元塊區域中的每個中，串選擇線結構包括串選擇彎折線，串選擇彎折線包括在基底之上的第一水平處沿水平方向延伸的下水平延伸部、在比第一水平高的第二水平處沿水平方向延伸的上水平延伸部以及連接在下水平延伸部與上水平延伸部之間的豎直延伸部。

附圖說明

通過下面結合附圖進行的詳細描述，將更清楚地理解發明構思的實施例，在附圖中：

圖1是示出根據發明構思的實施例的集成電路裝置的一些組件的平面圖；

圖2A是沿著圖1的線A-A'截取的剖視圖，圖2B是沿著圖1的線B-B'截取的剖視圖，圖2C是圖2A中的區域CYA的放大剖視圖，圖2D是圖2B中的區域CYB的放大剖視圖；

圖3A至圖3D是更詳細地示出根據發明構思的實施例的集成電路裝置的柵極介電層的剖視圖；

圖4A和圖4B是示出根據發明構思的其他實施例的集成電路裝置的剖視圖；

圖5A和圖5B是示出根據發明構思的其他實施例的集成電路裝置的剖視圖，圖5C是圖5A中的區域CYA的放大剖視圖，圖5D是圖5B中的區域CYB的放大剖視圖；

圖6是示出根據發明構思的其他實施例的集成電路裝置的剖視圖；