[發明專利]包括垂直存儲器的集成電路裝置

在審

• 申請號: 202010180450.9
• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN112071853A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 金寬容;沈善一;趙源錫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 田野;尹淑梅

1.一種集成電路裝置，所述集成電路裝置包括：

基底，包括主表面；

多條字線，在基底之上沿與基底的主表面平行的水平方向延伸并在豎直方向上彼此疊置；

串選擇線結構，堆疊在所述多條字線上；以及

多個溝道結構，在豎直方向上延伸穿過所述多條字線和串選擇線結構，

其中，串選擇線結構包括串選擇彎折線，串選擇彎折線包括在比所述多條字線高的第一高度處沿水平方向延伸的下水平延伸部、在比第一高度高的第二高度處沿水平方向延伸的上水平延伸部以及連接在下水平延伸部與上水平延伸部之間的豎直延伸部。

2.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中，

串選擇線結構還包括下串選擇線，下串選擇線在與串選擇彎折線的下水平延伸部間隔開的位置處在第一高度處沿水平方向延伸，并且下串選擇線包括在豎直方向上與串選擇彎折線的上水平延伸部疊置的部分。

3.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中，

串選擇線結構還包括中間串選擇線，中間串選擇線在與串選擇彎折線的上水平延伸部間隔開的位置處在第二高度處沿水平方向延伸。

4.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中，

串選擇線結構還包括上串選擇線，上串選擇線在與串選擇彎折線的上水平延伸部間隔開的位置處在第二高度處沿水平方向延伸，并且上串選擇線包括在豎直方向上與串選擇彎折線的下水平延伸部疊置的部分。

5.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中，

所述多條字線中的每條在基底之上延伸跨越在水平方向上順序地布置的三個串選擇區域，并且

串選擇彎折線僅布置在所述三個串選擇區域之中的兩個串選擇區域中。

6.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中，

所述多條字線中的每條在基底之上延伸跨越在水平方向上順序地布置的第一串選擇區域、第二串選擇區域和第三串選擇區域，并且

所述多個溝道結構包括：

多個第一溝道結構，在第一串選擇區域中穿過所述多條字線并且不穿過串選擇彎折線；

多個第二溝道結構，在第二串選擇區域中穿過所述多條字線和串選擇彎折線的上水平延伸部；以及

多個第三溝道結構，在第三串選擇區域中穿過所述多條字線和串選擇彎折線的下水平延伸部。

7.一種集成電路裝置，所述集成電路裝置包括：

基底，包括主表面；

一對字線切割區域，在基底之上沿第一水平方向縱向地延伸，并且在與第一水平方向垂直的第二水平方向上彼此間隔開且使單元塊區域位于所述一對字線切割區域之間，第一水平方向和第二水平方向與基底的主表面平行；

多條字線，在單元塊區域中沿與基底的主表面平行的第三水平方向延伸，并且在豎直方向上彼此疊置；

串選擇線結構，在單元塊區域中堆疊在所述多條字線上；以及

多個溝道結構，在單元塊區域中沿豎直方向延伸穿過所述多條字線和串選擇線結構，

其中，串選擇線結構包括串選擇彎折線，串選擇彎折線包括在比所述多條字線高的第一高度處沿第三水平方向延伸的下水平延伸部、在比第一高度高的第二高度處沿第三水平方向延伸的上水平延伸部以及連接在下水平延伸部與上水平延伸部之間的豎直延伸部。

8.根據權利要求7所述的集成電路裝置，其中，

單元塊區域包括在第二水平方向上順序地布置的第一串選擇區域、第二串選擇區域和第三串選擇區域，并且

串選擇彎折線僅布置在第一串選擇區域、第二串選擇區域和第三串選擇區域之中的第二串選擇區域和第三串選擇區域中。

9.根據權利要求8所述的集成電路裝置，其中，

串選擇線結構還包括下串選擇線，下串選擇線僅布置在第一串選擇區域、第二串選擇區域和第三串選擇區域之中的第一串選擇區域和第二串選擇區域中，并且在第一高度處沿第三水平方向延伸，并且

下串選擇線和串選擇彎折線的上水平延伸部在第二串選擇區域中在豎直方向上彼此疊置。