[發(fā)明專利]封裝蓋板及其制備方法、顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010179646.6
• 申請(qǐng)日: 2020-03-16
• 公開（公告）號(hào): CN111341938B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周楨力;譚文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N封裝蓋板及其制備方法、顯示面板，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。封裝蓋板包括基板和依次設(shè)置在基板上的第一增透膜和第二增透膜，第二增透膜的折射率n₂小于第一增透膜的折射率n₁，且第一增透膜的厚度和第二增透膜的厚度均滿足：h＝nλ+λ/4，其中，n為0或正整數(shù)，λ為入射光波長(zhǎng)。封裝蓋板上的雙層增透膜可以起到提高封裝蓋板光線的透過率，減少反射發(fā)生，從而減弱其與襯底基板反射光發(fā)生干涉現(xiàn)象，進(jìn)而減輕牛頓環(huán)現(xiàn)象。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種用于封裝顯示面板的封裝蓋板及其制備方法，還涉及包含該封裝蓋板的顯示面板。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的快速發(fā)展，顯示器件的各方面性能都有極大的提高，顯示器件的封裝結(jié)構(gòu)對(duì)其顯示效果具有一定程度的影響。

目前，在OLED剛性產(chǎn)品中，大多采用封裝膠(Frit)進(jìn)行封裝。理想狀況下，襯底基板非顯示區(qū)的封裝膠高度應(yīng)當(dāng)與顯示區(qū)的膜層高度相同，但是在制備封裝膠時(shí)，存在封裝膠高度浮動(dòng)范圍較大不易管控的問題。一旦封裝膠高度與顯示區(qū)膜層高度偏差過大時(shí)，會(huì)導(dǎo)致顯示面板周邊出現(xiàn)肉眼可見的牛頓環(huán)不良。

需要說明的是，在上述背景技術(shù)部分發(fā)明的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本申請(qǐng)的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)的目的在于提供一種用于封裝顯示面板的封裝蓋板及其制備方法，還涉及包含該封裝蓋板的顯示面板，解決現(xiàn)有技術(shù)的牛頓環(huán)問題。

根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，提供一種封裝蓋板，用于封裝顯示面板，包括：

基板；

第一增透膜，設(shè)于所述基板；

第二增透膜，覆蓋于所述第一增透膜遠(yuǎn)離基板的一面；

其中，所述第二增透膜的折射率n₂小于所述第一增透膜的折射率n₁，且所述第一增透膜的厚度和第二增透膜的厚度h均滿足：h＝nλ+λ/4，其中，n為0或正整數(shù)，λ為入射光波長(zhǎng)。

在本申請(qǐng)的一種示例性實(shí)施方式中，所述第二增透膜的折射率n₂與所述第一增透膜的折射率n₁的比值其中，n₀為空氣折射率，n_g為所述基板折射率。

在本申請(qǐng)的一種示例性實(shí)施方式中，所述基板為玻璃基板，所述第一增透膜的材料為氟化鈰，所述第二增透膜的材料為氟化鎂。

在本申請(qǐng)的一種示例性實(shí)施方式中，所述n為0、1或2。

在本申請(qǐng)的一種示例性實(shí)施方式中，所述基板劃分有顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述第一增透膜和第二增透膜設(shè)于所述非顯示區(qū)，且呈環(huán)狀結(jié)構(gòu)。

在本申請(qǐng)的一種示例性實(shí)施方式中，包括設(shè)置于所述非顯示區(qū)的封裝膠，所述第一增透膜和第二增透膜位于所述封裝膠靠近所述顯示區(qū)的一側(cè)，且所述第一增透膜和第二增透膜的外邊緣與所述封裝膠內(nèi)邊緣之間的距離為80～100um。

根據(jù)本申請(qǐng)的第二個(gè)方面，提供一種封裝蓋板的制備方法，包括：

提供一基板；

在所述基板傷形成第一增透膜；

在所述第一增透膜遠(yuǎn)離基板的一面形成第二增透膜；

其中，所述第二增透膜的折射率n₂小于所述第一增透膜的折射率n₁，且所述第一增透膜的厚度和第二增透膜的厚度均滿足：h＝nλ+λ/4，其中，n為0或正整數(shù)，λ為入射光波長(zhǎng)。

在本申請(qǐng)的一種示例性實(shí)施方式中，所述第一增透膜和所述第二增透膜通過磁控濺射工藝形成。