[發(fā)明專利]具有低寄生電感和低熱阻的功率集成模塊在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010178558.4 | 申請日： | 2020-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN111212523A | 公開（公告）日： | 2020-05-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林偉健;李漢祥 | 申請（專利權(quán)）人： | 豐鵬電子（珠海）有限公司 |
| 主分類號： | H05K1/18 | 分類號： | H05K1/18;H05K1/02;H01L25/16;H01L23/367 |
| 代理公司： | 珠海市君佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44644 | 代理人： | 段建軍 |
| 地址： | 519180 廣東省珠海市斗門區(qū)*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 寄生 電感 低熱 功率 集成 模塊 | ||
1.一種具有低寄生電感和低熱阻的功率集成模塊，包括：
金屬框架，包括相互分離的散熱片和多個電極端子；
電路板，包括絕緣基板和形成在所述絕緣基板兩個相對表面的導(dǎo)電圖案層，所述絕緣基板的兩個相對表面的導(dǎo)電圖案層之間通過貫穿所述絕緣基板的導(dǎo)電路徑電連接；
半導(dǎo)體開關(guān)器件，其一個表面具有多個電極，相對的另一個表面具有導(dǎo)熱盤；所述半導(dǎo)體開關(guān)器件設(shè)置在所述電路板和所述散熱片之間，所述導(dǎo)熱盤與所述散熱片熱連接，所述多個電極經(jīng)由所述電路板與所述多個電極端子電連接；
電容，安裝在所述電路板相對于所述半導(dǎo)體開關(guān)器件的表面；所述電容和所述半導(dǎo)體開關(guān)器件之間形成電流回路；
封裝體，包裹所述電路板、所述半導(dǎo)體開關(guān)器件和所述電容，并部分地露出所述多個電極端子和所述散熱片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率集成模塊，其中，所述電路板與所述多個電極端子間隔設(shè)置，且所述電路板和所述多個電極之間通過多個金屬連接件電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率集成模塊，其中，所述多個電極端子構(gòu)造為直接電連接至所述電路板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率集成模塊，其中，所述多個電極端子露出于所述封裝體的安裝表面和所述散熱片露出于所述封裝體的安裝表面平齊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率集成模塊，其中，所述電路板的厚度小于0.5毫米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率集成模塊，其中，所述電容和所述半導(dǎo)體開關(guān)器件布置為在所述電路板的厚度方向上至少部分重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率集成模塊，其中，所述電路板上安裝有與所述半導(dǎo)體開關(guān)器件電連接的芯片驅(qū)動器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率集成模塊，其中，所述封裝體是通過樹脂注塑工藝成型的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率集成模塊，其中，所述半導(dǎo)體開關(guān)器件為GaN MOSFET。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率集成模塊，其中，所述半導(dǎo)體開關(guān)器件包括高側(cè)MOSFET和低側(cè)MOSFET，所述高側(cè)MOSFET的源極與所述低側(cè)MOSFET的漏極電連接；所述電容的一個端子與所述高側(cè)MOSFET的漏極電連接，所述電容的另一個端子與所述低側(cè)MOSFET的源極電連接。
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