[發(fā)明專利]一種錳摻雜單層二硫化鎢二維晶體的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010177721.5 | 申請日： | 2020-03-13 |
| 公開（公告）號： | CN111285401B | 公開（公告）日： | 2021-06-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 聶安民;王沖;康夢克;向建勇;柳忠元;田永君 | 申請（專利權(quán)）人： | 燕山大學 |
| 主分類號： | C01G41/00 | 分類號： | C01G41/00 |
| 代理公司： | 石家莊眾志華清知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 張建 |
| 地址： | 066004 河北*** | 國省代碼： | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 摻雜 單層 硫化 二維 晶體 制備 方法 | ||
1.一種錳摻雜單層二硫化鎢二維晶體的制備方法，其特征在于：以Si/SiO2為基片 ，采用WO3作為鎢源、硫粉作為硫源、二氧化錳作為錳源、NaCl為添加劑，在三溫區(qū)管式爐內(nèi)采用化學氣相沉積的方法生長出形狀為三角形或多角形的Mn摻雜單層WS2二維晶體；
A，清洗Si/SiO2基片；
B，將盛有硫源的剛玉舟置于三溫區(qū)管式爐的上溫區(qū)，盛有錳源和NaCl的混合物的剛玉舟置于三溫區(qū)管式爐的中間溫區(qū)，盛有鎢源的剛玉舟置于三溫區(qū)管式爐的下溫區(qū)，將Si/SiO2基片置于盛有鎢源的剛玉舟一側(cè)且靠近三溫管式爐內(nèi)排氣口的位置，并將三溫區(qū)管式爐封裝起來；
C，用真空泵將三溫區(qū)管式爐中壓強抽至20-30Pa，將氬氣通入三溫區(qū)管式爐，并用調(diào)壓閥調(diào)節(jié)壓強為600-900Pa，真空泵持續(xù)保持抽氣狀態(tài)至反應(yīng)結(jié)束，以維持該穩(wěn)定壓強；
D，加熱并保溫一段時間，反應(yīng)結(jié)束自然冷卻得到產(chǎn)品；
步驟D中設(shè)置三溫區(qū)管式爐的上溫區(qū)升溫時間為10-45min，升至反應(yīng)溫度160-240℃開始保溫，保溫時間10-35min；設(shè)置三溫區(qū)管式爐的中溫區(qū)升溫時間為10-45min，升至反應(yīng)溫度500-900℃開始保溫，保溫時間10-45min；設(shè)置三溫區(qū)管式爐的下溫區(qū)升溫時間為20-45min，升至反應(yīng)溫度700-1200℃開始保溫，保溫時間10-35min。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種錳摻雜單層二硫化鎢二維晶體的制備方法，其特征在于：步驟C中調(diào)節(jié)氬氣的氣流量為20-80sccm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種錳摻雜單層二硫化鎢二維晶體的制備方法，其特征在于：步驟A中Si/SiO2基片用丙酮進行超聲清洗，去除基片表面的有機物雜質(zhì)，隨后用去離子水沖洗干凈基片，并用氮氣槍吹干。
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