[發明專利]一種液晶顯示面板及其制備方法

在審

• 申請號: 202010176485.5
• 申請日: 2020-03-13
• 公開（公告）號: CN111290161A
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 雍瑋娜
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

本揭示提供一種液晶顯示面板及其制備方法。液晶顯示面板制備方法包括，提供第一基板，在第一基板上制備氮化硅薄膜，經過黃光工藝在第一基板側邊形成遮光層，在遮光層上制備封框膠。提供第二基板，在第二基板上滴注液晶分子。然后把第一基板和第二基板對位設置。本揭示采用氮化硅取代黑矩陣制備遮光層，提高了液晶顯示面板遮光層的遮光效果。

技術領域

本揭示涉及顯示技術領域，尤其涉及一種液晶顯示面板及其制備方法。

背景技術

在薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)中，隨著高端機種的導入及客戶的需求，目前對顯示面板的顯示品質要求越來越嚴格。尤其是目前生活質量的大幅度提高，家庭及商業采用的無邊框或窄邊框應用也越來越多?？s小面板的邊框，以及把控邊框處的品質顯得越來越重要。

在一般的顯示面板中，面板四周均為金屬信號走線以及一些外圍的虛擬模塊(dummy pattern)，并不起顯示作用。為了確保邊框外觀品質并且不影響顯示區(ActiveArea，AA)的顯示效果，一般在邊框處會做黑矩陣(Black Matrix，BM)設計。目的是遮住金屬信號走線的漏光與反光，使得邊框盡可能表現為黑色而不影響顯示區域。

目前業界所采用的黑矩陣的光密度(Optical Density，OD)值大約在3～4，該值越大，對光的吸收越好，透過率越低。如圖1所示顯示面板800，在使用黑矩陣做遮光層時，顯示區1外圍的非顯示區域，在背光源的照射下，仍有部分光透過。而且可透過彩膜基板上的黑矩陣2觀察到陣列基板上的金屬信號走線3。這對于窄邊框、無邊框或者其他高階機種產品而言，均是無法接受的。

因此，現有液晶顯示面板遮光層遮光效果不佳的問題需要解決。

發明內容

本揭示提供一種液晶顯示面板及其制備方法，以緩解現有液晶顯示面板遮光層遮光效果不佳的技術問題。

為解決上述問題，本揭示提供的技術方案如下：

本揭示實施例提供一種液晶顯示面板制備方法，其包括步驟S10，制備遮光層，包括提供一第一基板，用氮化硅材料在所述第一基板上制備遮光層。步驟S20，制備封框膠，包括在所述遮光層上制備封框膠。步驟S30，制備液晶層，包括提供一第二基板，在所述第二基板上滴注液晶分子。步驟S40，基板對位，包括把所述第一基板和所述第二基板對位設置。

在本揭示實施例提供的液晶顯示面板制備方法中，在步驟S10中，制備所述遮光層包括以下步驟：步驟S11，在所述第一基板上沉積整層氮化硅薄膜。步驟S12，在所述氮化硅薄膜上涂布光阻。步驟S13，對所述光阻進行曝光、顯影，在所述氮化硅薄膜的側邊形成光阻圖案。步驟S14，以所述光阻圖案為遮擋，對所述氮化硅薄膜進行蝕刻，形成遮光層。步驟S15，剝離掉所述遮光層上的所述光阻圖案。

在本揭示實施例提供的液晶顯示面板制備方法中，在步驟S11中，所述氮化硅薄膜的沉積工藝包括物理氣相沉積、化學氣相沉積、原子層沉積工藝中的一種。

在本揭示實施例提供的液晶顯示面板制備方法中，在步驟S12中，所述光阻包括正性光阻、負性光阻中的一種。

在本揭示實施例提供的液晶顯示面板制備方法中，在步驟S14中，采用干蝕刻法對所述氮化硅薄膜進行蝕刻。

在本揭示實施例提供的液晶顯示面板制備方法中，在步驟S15中，采用光阻剝離液剝離掉所述光阻圖案。

在本揭示實施例提供的液晶顯示面板制備方法中，在對所述氮化硅薄膜進行蝕刻時，使形成的所述遮光層上表面呈凸凹結構，以增大所述遮光層與所述封框膠之間的接觸面積。

在本揭示實施例提供的液晶顯示面板制備方法中，所述第一基板為彩膜基板，所述第二基板為陣列基板。