[發明專利]一種液晶顯示面板及其制備方法

在審

• 申請號: 202010176485.5
• 申請日: 2020-03-13
• 公開（公告）號: CN111290161A
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 雍瑋娜
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

1.一種液晶顯示面板制備方法，其特征在于，包括：

步驟S10，制備遮光層，包括提供一第一基板，用氮化硅材料在所述第一基板上制備遮光層；

步驟S20，制備封框膠，包括在所述遮光層上制備封框膠；

步驟S30，制備液晶層，包括提供一第二基板，在所述第二基板上滴注液晶分子；以及

步驟S40，基板對位，包括把所述第一基板和所述第二基板對位設置。

2.根據權利要求1所述的液晶顯示面板制備方法，其特征在于，在步驟S10中，制備所述遮光層包括以下步驟：

步驟S11，在所述第一基板上沉積整層氮化硅薄膜；

步驟S12，在所述氮化硅薄膜上涂布光阻；

步驟S13，對所述光阻進行曝光、顯影，在所述氮化硅薄膜的側邊形成光阻圖案；

步驟S14，以所述光阻圖案為遮擋，對所述氮化硅薄膜進行蝕刻，形成遮光層；以及

步驟S15，剝離掉所述遮光層上的所述光阻圖案。

3.根據權利要求2所述的液晶顯示面板制備方法，其特征在于，在步驟S11中，所述氮化硅薄膜的沉積工藝包括物理氣相沉積、化學氣相沉積、原子層沉積工藝中的一種。

4.根據權利要求2所述的液晶顯示面板制備方法，其特征在于，在步驟S12中，所述光阻包括正性光阻、負性光阻中的一種。

5.根據權利要求2所述的液晶顯示面板制備方法，其特征在于，在步驟S14中，采用干蝕刻法對所述氮化硅薄膜進行蝕刻。

6.根據權利要求2所述的液晶顯示面板制備方法，其特征在于，在步驟S15中，采用光阻剝離液剝離掉所述光阻圖案。

7.根據權利要求2所述的液晶顯示面板制備方法，其特征在于，在對所述氮化硅薄膜進行蝕刻時，使形成的所述遮光層上表面呈凸凹結構，以增大所述遮光層與所述封框膠之間的接觸面積。

8.根據權利要求1所述的液晶顯示面板制備方法，其特征在于，所述第一基板為彩膜基板，所述第二基板為陣列基板。

9.一種液晶顯示面板，其特征在于，包括：

第一基板，所述第一基板的側邊設置有遮光層；

第二基板，與所述第一基板相對設置；

封框膠，設置于所述遮光層上，且位于所述第一基板和所述第二基板之間；以及

液晶分子，設置于所述第一基板和所述第二基板之間；

其中，所述遮光層的材料包括氮化硅。

10.根據權利要求9所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述遮光層與所述封框膠的接觸面設置有凸凹結構。