[發(fā)明專(zhuān)利]存儲(chǔ)器的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010176400.3
• 申請(qǐng)日: 2020-03-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111354643B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張怡;劉憲周
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/336
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/336;H01L29/788;H10B41/30
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器的制造方法，包括：提供一襯底，存儲(chǔ)區(qū)域的襯底上形成有柵氧化層、第一結(jié)構(gòu)層以及字線(xiàn)；外圍區(qū)域的襯底上形成有柵氧化層、第二結(jié)構(gòu)層以及第一氧化硅層，所述第一結(jié)構(gòu)層中形成有溝槽；依次形成第一氮化硅層、第二氮化硅層和第二氧化硅層；刻蝕所述外圍區(qū)域的第二氧化硅層、第二氮化硅層、第一氮化硅層以及第一氧化硅層；濕法清洗所述第二結(jié)構(gòu)層表面。在形成所述溝槽以及所述第一氧化硅層之后不立即去除外圍區(qū)域的第一氧化硅層，而是繼續(xù)沉積第一氮化硅層、第二氮化硅層和第二氧化硅層，并且在形成所述第二氧化硅層之后去除所述第一氧化硅層，這樣不但去除了所述第一氧化硅層，而且可以避免損壞所述溝槽形貌的情況。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種存儲(chǔ)器的制造方法。

背景技術(shù)

參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)的快閃存儲(chǔ)器示意圖，在快閃存儲(chǔ)器的制造工藝中，所述快閃存儲(chǔ)器通常具有存儲(chǔ)區(qū)域Ⅰ和外圍區(qū)域Ⅱ，所述存儲(chǔ)區(qū)域Ⅰ的襯底100上形成有柵氧化層110、位于所述柵氧化層110上的第一結(jié)構(gòu)層10以及位于所述第一結(jié)構(gòu)層10中的字線(xiàn)200；所述外圍區(qū)域Ⅱ的襯底100上形成有堆疊的柵氧化層110、第二結(jié)構(gòu)層20以及第一氧化硅層320。在存儲(chǔ)區(qū)域中，形成字線(xiàn)200之后，通常還需要通過(guò)刻蝕工藝打開(kāi)所述字線(xiàn)200側(cè)的第一結(jié)構(gòu)層10(控制柵層140、ONO層130和浮柵層120等等)以形成溝槽181，為后續(xù)在存儲(chǔ)區(qū)域Ⅰ形成接觸孔做準(zhǔn)備。

參考圖2，圖2為現(xiàn)有技術(shù)中存在溝槽形貌缺陷的快閃存儲(chǔ)器示意圖，目前在快閃存儲(chǔ)器的制造方法中，在通過(guò)刻蝕工藝打開(kāi)所述字線(xiàn)200側(cè)的第一結(jié)構(gòu)層120之后，接下來(lái)會(huì)利用HF濕法清洗去除外圍區(qū)域Ⅱ的所述第一氧化硅層320，如圖2所示，但是此時(shí)存儲(chǔ)區(qū)域Ⅰ的溝槽181沒(méi)有任何掩膜保護(hù)，所以在濕法清洗去除外圍區(qū)域Ⅱ的所述第一氧化硅層320之后，存儲(chǔ)區(qū)域Ⅰ的溝槽181出現(xiàn)碗口狀的形貌缺陷，導(dǎo)致后續(xù)形成的接觸孔發(fā)生短路的問(wèn)題或者失效的問(wèn)題，從而影響快閃存儲(chǔ)器性能，提高了快閃存儲(chǔ)器的不良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種存儲(chǔ)器的制造方法，以解決存儲(chǔ)區(qū)域的溝槽形貌缺陷的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器的制造方法，所述存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)區(qū)域和外圍區(qū)域，所述存儲(chǔ)器的制造方法包括：

提供一襯底，所述存儲(chǔ)區(qū)域的襯底上形成有柵氧化層、位于所述柵氧化層上的第一結(jié)構(gòu)層以及位于所述第一結(jié)構(gòu)層中的字線(xiàn)；所述外圍區(qū)域的襯底上形成有堆疊的柵氧化層、第二結(jié)構(gòu)層以及第一氧化硅層，其中，靠近所述外圍區(qū)域的所述存儲(chǔ)區(qū)域的所述第一結(jié)構(gòu)層中形成有溝槽；

形成第一氮化硅層，所述第一氮化硅層覆蓋所述存儲(chǔ)區(qū)域的所述字線(xiàn)和所述外圍區(qū)域的所述第一氧化硅層并且填充所述溝槽；

依次形成第二氮化硅層和第二氧化硅層，所述第二氮化硅層覆蓋所述第一氮化硅層，所述第二氧化硅層覆蓋所述第二氮化硅層；

刻蝕所述外圍區(qū)域的所述第二氧化硅層、第二氮化硅層、第一氮化硅層以及第一氧化硅層；

濕法清洗所述第二結(jié)構(gòu)層表面以清除殘余的所述第一氧化硅層。

可選的，在所述存儲(chǔ)器的制造方法中，所述第一結(jié)構(gòu)層包括：依次堆疊的浮柵層、ONO介質(zhì)層、控制柵層及第三氮化硅層。

可選的，在所述存儲(chǔ)器的制造方法中，所述第一結(jié)構(gòu)層還包括位于所述柵氧化層上且位于所述浮柵層中的第三氧化硅層，所述溝槽位于依次堆疊的所述第三氧化硅層、ONO介質(zhì)層以及控制柵層中。

可選的，在所述存儲(chǔ)器的制造方法中，所述第二結(jié)構(gòu)層包括：依次堆疊的浮柵層以及第四氮化硅層。

可選的，在所述存儲(chǔ)器的制造方法中，在濕法清洗所述第二結(jié)構(gòu)層表面以清除殘余的所述第一氧化硅層之后，所述存儲(chǔ)器的制造方法還包括：

利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述第四氮化硅層。