[發明專利]存儲器的制造方法有效
| 申請號： | 202010176400.3 | 申請日： | 2020-03-13 |
| 公開（公告）號： | CN111354643B | 公開（公告）日： | 2023-04-28 |
| 發明（設計）人： | 張怡;劉憲周 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/788;H10B41/30 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 制造 方法 | ||
1.一種存儲器的制造方法，所述存儲器具有存儲區域和外圍區域，其特征在于，所述存儲器的制造方法包括：
提供一襯底，所述存儲區域的襯底上形成有柵氧化層、位于所述柵氧化層上的第一結構層以及位于所述第一結構層中的字線；所述外圍區域的襯底上形成有堆疊的柵氧化層、第二結構層以及第一氧化硅層，其中，靠近所述外圍區域的所述存儲區域的所述第一結構層中形成有溝槽；
形成第一氮化硅層，所述第一氮化硅層覆蓋所述存儲區域的所述字線和所述外圍區域的所述第一氧化硅層并且填充所述溝槽；
依次形成第二氮化硅層和第二氧化硅層，所述第二氮化硅層覆蓋所述第一氮化硅層，所述第二氧化硅層覆蓋所述第二氮化硅層；
刻蝕所述外圍區域的所述第二氧化硅層、第二氮化硅層、第一氮化硅層以及第一氧化硅層；
濕法清洗所述第二結構層表面以清除殘余的所述第一氧化硅層。
2.根據權利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，所述第一結構層包括：依次堆疊的浮柵層、ONO介質層、控制柵層及第三氮化硅層。
3.根據權利要求2所述的存儲器的制造方法，其特征在于，所述第一結構層還包括位于所述柵氧化層上且位于所述浮柵層中的第三氧化硅層，所述溝槽位于依次堆疊的所述第三氧化硅層、ONO介質層以及控制柵層中。
4.根據權利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，所述第二結構層包括：依次堆疊的浮柵層以及第四氮化硅層。
5.根據權利要求4所述的存儲器的制造方法，其特征在于，在濕法清洗所述第二結構層表面以清除殘余的所述第一氧化硅層之后，所述存儲器的制造方法還包括：
利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述第四氮化硅層。
6.根據權利要求4所述的存儲器的制造方法，其特征在于，利用濃度為0.1％～0.5％的氫氟酸溶液濕法清洗所述第二結構層表面以清除殘余的所述第一氧化硅層。
7.根據權利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，利用干法刻蝕工藝刻蝕所述外圍區域的所述第二氧化硅層、第二氮化硅層、第一氮化硅層以及第一氧化硅層。
8.根據權利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，利用濕法刻蝕工藝刻蝕部分厚度的所述第二結構層。
9.根據權利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，所述存儲區域中，所述字線和所述第一結構層之間還形成有側墻結構和隧穿氧化層，所述隧穿氧化層覆蓋所述側墻結構和所述柵氧化層。
10.根據權利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，所述第一氧化硅層的厚度介于所述第一氮化硅的厚度介于所述第二氮化硅的厚度介于所述第二氧化硅層的厚度介于
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
