[發明專利]一種光學臨近效應修正方法、裝置、設備及介質有效
| 申請號: | 202010175353.0 | 申請日: | 2020-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN113391516B | 公開(公告)日: | 2022-03-04 |
| 發明(設計)人: | 徐進 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 孫寶海;闞梓瑄 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光學 臨近 效應 修正 方法 裝置 設備 介質 | ||
1.一種光學臨近效應修正方法,其特征在于,包括:
根據目標圖形的設計規則,制作測試圖形光罩;
獲取光學臨近效應修正模型所需的數據,并建立所述光學臨近效應修正模型;
獲取所述測試圖形的線端回縮數據,并建立線端回縮規則表,所述線端回縮規則表包括圖形線寬和圖形間距;
根據所述線端回縮規則表,確定初始修正值;其中,當所述圖形線寬和所述圖形間距的最小值均為50nm時,所述初始修正值為70nm;當所述圖形線寬和所述圖形間距均介于50nm~100nm之間時,所述初始修正值介于0nm~70nm之間;當所述圖形線寬和所述圖形間距的最大值均為100nm時,所述初始修正值為0nm;
根據所述初始修正值和所述光學臨近效應修正模型對所述目標圖形進行修正。
2.根據權利要求1所述的光學臨近效應修正方法,其特征在于,還包括:
循環執行對所述目標圖形進行修正,直至所述目標圖形的線端回縮達到目標值。
3.根據權利要求1所述的光學臨近效應修正方法,其特征在于,所述獲取光學臨近效應修正模型所需的數據,并建立所述光學臨近效應修正模型之后,還包括:
驗證所述光學臨近效應修正模型,并比較所述光學臨近效應修正模型得到的線端回縮數據與所述測試圖形的線端回縮數據;
若所述光學臨近效應修正模型得到的線端回縮數據與所述測試圖形的線端回縮數據之差的絕對值小于或等于預設閾值,則判定所述光學臨近效應修正模型符合應用條件。
4.根據權利要求3所述的光學臨近效應修正方法,其特征在于,還包括:
若所述光學臨近效應修正模型得到的線端回縮數據與所述測試圖形的線端回縮數據之差的絕對值大于預設閾值,則進行基于模型的光學臨近效應修正,直至滿足所述光學臨近效應修正模型得到的線端回縮數據與所述測試圖形的線端回縮數據之差的絕對值小于或等于預設閾值。
5.根據權利要求1所述的光學臨近效應修正方法,其特征在于,當光刻條件發生變化時,重新建立光學臨近效應修正模型和線端回縮規則表。
6.根據權利要求1所述的光學臨近效應修正方法,其特征在于,所述線端回縮規則表還包括一所述圖形線寬和一所述圖形間距對應的線端回縮長度。
7.根據權利要求6所述的光學臨近效應修正方法,其特征在于,所述根據所述線端回縮規則表,確定初始修正值包括:
若所述目標圖形的圖形線寬和圖形間距均小于所述線端回縮規則表中圖形線寬和圖形間距的最小值,則以所述線端回縮規則表中圖形線寬和圖形間距的最小值對應的線端回縮長度作為所述初始修正值;
若所述目標圖形的圖形線寬和圖形間距均位于所述線端回縮規則表中,則以所述線端回縮規則表中對應的線端回縮長度作為所述初始修正值;
若所述目標圖形的圖形線寬和圖形間距均大于所述線端回縮規則表中圖形線寬和圖形間距的最大值,則以0作為所述初始修正值。
8.一種光學臨近效應修正裝置,其特征在于,包括:
測試圖形生成模塊,用于根據目標圖形的設計規則,制作測試圖形光罩;
模型建立模塊,用于獲取光學臨近效應修正模型所需的數據,并建立所述光學臨近效應修正模型;
規則表建立模塊,用于獲取所述測試圖形的線端回縮數據,并建立線端回縮規則表,所述線端回縮規則表包括圖形線寬和圖形間距;
初值設置模塊,用于根據所述線端回縮規則表,確定初始修正值;其中,當所述圖形線寬和所述圖形間距的最小值均為50nm時,所述初始修正值為70nm;當所述圖形線寬和所述圖形間距均介于50nm~100nm之間時,所述初始修正值介于0nm~70nm之間;當所述圖形線寬和所述圖形間距的最大值均為100nm時,所述初始修正值為0nm;
修正模塊,用于根據所述初始修正值和所述光學臨近效應修正模型對所述目標圖形進行修正。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





