[發明專利]一種二維硅的制備方法及其應用

在審

• 申請號: 202010174978.5
• 申請日: 2020-03-13
• 公開（公告）號: CN111204767A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發明（設計）人: 馮金奎;安永靈;田園
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: C01B33/021
• 分類號: C01B33/021;H01L31/0224;H01M4/38;H01G11/30;B01J21/06;B01J20/02;B01J20/30
• 代理公司: 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221
• 代理人: 鄭平

1.一種二維硅的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：以ASi₂型合金為前驅體，采用化學脫合金的方法對所述前驅體進行處理，即可得到二維硅。

2.如權利要求1所述的二維硅的制備方法，其特征在于，所述前驅體包括：CaSi₂、NiSi₂、FeSi₂、TiSi₂、CaSi₂、CoSi₂、CrSi₂、NbSi₂、ZrSi₂、MoSi₂、LiSi₂中的任意一種或兩種及以上的混合物。

3.如權利要求1所述的二維硅的制備方法，其特征在于，所述化學脫合金的方法為采用酸對前驅體進行刻蝕處理。

4.如權利要求3所述的二維硅的制備方法，其特征在于所述酸包括鹽酸、硫酸、醋酸、草酸，檸檬酸、磷酸、亞硫酸、磷酸、氫氟酸、甲酸、苯甲酸、乙酸、丙酸、硬脂酸、碳酸、氫硫酸、次氯酸、硼酸、硅酸中的任意一種或兩種及以上的混合物。

5.如權利要求1-4任一項所述的二維硅的制備方法，其特征在于，反應的溫度為0-80℃，反應的時間為1-24h，優選為在25-50℃之間反應5-24h。

6.如權利要求1-4任一項所述的二維硅的制備方法，其特征在于，反應后對得到的產物依次進行過濾、洗滌、干燥；優選地，所述干燥為真空干燥；真空干燥的溫度為70-150℃。

7.一種二維硅的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：以ASi₂型合金為前驅體，采用真空脫合金的方法對所述前驅體進行處理，即可得到二維硅。

8.如權利要求7所述的二維硅的制備方法，其特征在于，所述前驅體包括：CaSi₂、LiSi₂中的一種或兩種的混合物。

9.如權利要求7所述的二維硅的制備方法，其特征在于，保溫溫度為800℃-1500℃，時間為0.1-20h，優選為在880-1400℃之間保溫0.1-20h；或者，真空度等于或小于10Pa。

10.權利要求1-9任一項所述的二維硅的制備方法得到的二維硅在催化、吸附、儲能領域中的應用；優選為在鋰離子電池、超級電容器、太陽能電池中的應用。