[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010174821.2
• 申請(qǐng)日: 2020-03-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113394163A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許毅勝;羅嘯;熊濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海格易電子有限公司;北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L21/28
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;馮麗欣

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該制造方法包括：在襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)；在襯底中形成摻雜區(qū)，摻雜區(qū)至少位于柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)；形成覆蓋襯底與柵極結(jié)構(gòu)的絕緣結(jié)構(gòu)；去除絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分，以便于形成第一凹部，第一凹部自絕緣結(jié)構(gòu)的表面向襯底延伸至第一預(yù)設(shè)深度且與摻雜區(qū)的位置對(duì)應(yīng)；以及經(jīng)第一凹部去除絕緣結(jié)構(gòu)的第二部分，以便于形成貫穿絕緣結(jié)構(gòu)的第一接觸孔，至少部分摻雜區(qū)被第一接觸孔暴露。通過(guò)分步去除絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分與第二部分形成了穿過(guò)絕緣結(jié)構(gòu)的第一接觸孔，降低了形成第一接觸孔的工藝難度，使得第一接觸孔不僅可以到達(dá)襯底，并且保證了第一接觸孔的形貌正常，從而提高了器件的可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，更具體地，涉及半導(dǎo)體器件的制造方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展方向是特征尺寸的減小和集成度的提高，而對(duì)于結(jié)構(gòu)復(fù)雜的半導(dǎo)體器件而言，形成接觸孔的工藝面臨著巨大的挑戰(zhàn)。

圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的浮柵存儲(chǔ)器件的結(jié)構(gòu)示意圖，該浮柵存儲(chǔ)器件包括：襯底101’、柵極結(jié)構(gòu)110’、隔離層120’、停止層130’、以及介質(zhì)層140’。在現(xiàn)有的制造工藝中，需要經(jīng)過(guò)掩模201’上的開(kāi)口對(duì)介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，從而分別形成漏端接觸孔103a’與柵極接觸孔103b’。由于柵極結(jié)構(gòu)110’較厚，漏端接觸孔103a’較深，使得刻蝕量較多。如果不形成停止層130’，則隔離層120’下方的柵極結(jié)構(gòu)110’會(huì)因?yàn)檫^(guò)刻蝕被損壞。在形成停止層130’后，柵極接觸孔103b’的刻蝕會(huì)止于停止層130’，從而不必?fù)?dān)過(guò)刻蝕損壞柵極結(jié)構(gòu)110’。

然而，由于浮柵存儲(chǔ)器件的漏端接觸孔103a’的深寬比較大，使得刻蝕工藝的控制難度較大，一次刻蝕很難使得漏端接觸孔103a’的底端到達(dá)停止層130’，并且由于刻蝕工藝的控制難度大，容易造成漏端接觸孔103a’形貌異常。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，通過(guò)分步去除絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分與第二部分形成了穿過(guò)絕緣結(jié)構(gòu)的第一接觸孔，降低了形成第一接觸孔的難度，使得第一接觸孔不僅可以到達(dá)襯底，并且保證了第一接觸孔的形貌正常，從而提高了器件的可靠性。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：在襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)；在所述襯底中形成摻雜區(qū)，所述摻雜區(qū)至少位于所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)；形成覆蓋所述襯底與所述柵極結(jié)構(gòu)的絕緣結(jié)構(gòu)；去除所述絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分，以便于形成第一凹部，所述第一凹部自所述絕緣結(jié)構(gòu)的表面向所述襯底延伸至第一預(yù)設(shè)深度且與所述摻雜區(qū)的位置對(duì)應(yīng)；以及經(jīng)所述第一凹部去除所述絕緣結(jié)構(gòu)的第二部分，以便于形成貫穿所述絕緣結(jié)構(gòu)的第一接觸孔，至少部分所述摻雜區(qū)被所述第一接觸孔暴露。

優(yōu)選地，在去除所述絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分或第二部分的過(guò)程中，所述絕緣結(jié)構(gòu)的第三部分被同步去除，以便于形成貫穿所述絕緣結(jié)構(gòu)的第二接觸孔，至少部分所述柵極結(jié)構(gòu)被所述第二接觸孔暴露。

優(yōu)選地，在去除所述絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分的過(guò)程中所述絕緣結(jié)構(gòu)的第三部分被同步去除的條件下，形成所述第一凹部與所述第二接觸孔的步驟包括：在所述絕緣結(jié)構(gòu)上形成第一掩模，所述第一掩模具有第一開(kāi)口與第二開(kāi)口，所述第一開(kāi)口的位置與所述摻雜區(qū)對(duì)應(yīng)，所述第二開(kāi)口的位置與所述柵極結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)；以及分別經(jīng)所述第一開(kāi)口與所述第二開(kāi)口自所述絕緣結(jié)構(gòu)表面向所述襯底方向刻蝕所述絕緣結(jié)構(gòu)，刻蝕在到達(dá)所述第一預(yù)設(shè)深度停止。

優(yōu)選地，在去除所述絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分的過(guò)程中所述絕緣結(jié)構(gòu)的第三部分被同步去除的條件下，經(jīng)所述第一凹部去除所述絕緣結(jié)構(gòu)的第二部分的步驟包括：在所述絕緣結(jié)構(gòu)上形成第二掩模，所述第二掩模具有第三開(kāi)口，所述第三開(kāi)口的位置與所述摻雜區(qū)對(duì)應(yīng)；以及經(jīng)所述第三開(kāi)口自所述第一凹部底端向所述襯底方向刻蝕所述絕緣結(jié)構(gòu)，刻蝕在到達(dá)第二預(yù)設(shè)深度停止，以便于所述第一接觸孔穿過(guò)所述絕緣結(jié)構(gòu)，其中，所述第二掩模覆蓋所述第二接觸孔。