[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010174821.2 | 申請日： | 2020-03-13 |
| 公開（公告）號： | CN113394163A | 公開（公告）日： | 2021-09-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 許毅勝;羅嘯;熊濤 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海格易電子有限公司;北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡純;馮麗欣 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)郭守敬路4*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：
在襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)；
在所述襯底中形成摻雜區(qū)，所述摻雜區(qū)至少位于所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)；
形成覆蓋所述襯底與所述柵極結(jié)構(gòu)的絕緣結(jié)構(gòu)；
去除所述絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分，以便于形成第一凹部，所述第一凹部自所述絕緣結(jié)構(gòu)的表面向所述襯底延伸至第一預(yù)設(shè)深度且與所述摻雜區(qū)的位置對應(yīng)；以及
經(jīng)所述第一凹部去除所述絕緣結(jié)構(gòu)的第二部分，以便于形成貫穿所述絕緣結(jié)構(gòu)的第一接觸孔，至少部分所述摻雜區(qū)被所述第一接觸孔暴露。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，在去除所述絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分或第二部分的過程中，所述絕緣結(jié)構(gòu)的第三部分被同步去除，以便于形成貫穿所述絕緣結(jié)構(gòu)的第二接觸孔，至少部分所述柵極結(jié)構(gòu)被所述第二接觸孔暴露。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，在去除所述絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分的過程中所述絕緣結(jié)構(gòu)的第三部分被同步去除的條件下，形成所述第一凹部與所述第二接觸孔的步驟包括：
在所述絕緣結(jié)構(gòu)上形成第一掩模，所述第一掩模具有第一開口與第二開口，所述第一開口的位置與所述摻雜區(qū)對應(yīng)，所述第二開口的位置與所述柵極結(jié)構(gòu)對應(yīng)；以及
分別經(jīng)所述第一開口與所述第二開口自所述絕緣結(jié)構(gòu)表面向所述襯底方向刻蝕所述絕緣結(jié)構(gòu)，刻蝕在到達所述第一預(yù)設(shè)深度停止。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其中，在去除所述絕緣結(jié)構(gòu)的第一部分的過程中所述絕緣結(jié)構(gòu)的第三部分被同步去除的條件下，經(jīng)所述第一凹部去除所述絕緣結(jié)構(gòu)的第二部分的步驟包括：
在所述絕緣結(jié)構(gòu)上形成第二掩模，所述第二掩模具有第三開口，所述第三開口的位置與所述摻雜區(qū)對應(yīng)；以及
經(jīng)所述第三開口自所述第一凹部底端向所述襯底方向刻蝕所述絕緣結(jié)構(gòu)，刻蝕在到達第二預(yù)設(shè)深度停止，以便于所述第一接觸孔穿過所述絕緣結(jié)構(gòu)，
其中，所述第二掩模覆蓋所述第二接觸孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，在去除所述絕緣結(jié)構(gòu)的第二部分的過程中所述絕緣結(jié)構(gòu)的第三部分被同步去除的條件下，形成所述第一凹部的步驟包括：
在所述絕緣結(jié)構(gòu)上形成第一掩模，所述第一掩模具有第一開口，所述第一開口的位置與所述摻雜區(qū)對應(yīng)；以及
經(jīng)所述第一開口自所述絕緣結(jié)構(gòu)表面相所述襯底方向刻蝕所述絕緣結(jié)構(gòu)，刻蝕在到達所述第一預(yù)設(shè)深度停止，
其中，所述第一凹部底端距所述襯底表面的距離為第二預(yù)設(shè)深度，所述第二接觸孔的深度為所述第二預(yù)設(shè)深度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其中，在去除所述絕緣結(jié)構(gòu)的第二部分的過程中所述絕緣結(jié)構(gòu)的第三部分被同步去除的條件下，形成所述第一接觸孔與所述第二接觸孔的步驟包括：
在所述絕緣結(jié)構(gòu)上形成第二掩模，所述第二掩模具有第二開口與第三開口，所述第二開口與所述柵極結(jié)構(gòu)對應(yīng)，所述第三開口的位置與所述摻雜區(qū)對應(yīng)；以及
經(jīng)所述第二開口自所述絕緣結(jié)構(gòu)表面向所述襯底方向刻蝕所述絕緣結(jié)構(gòu)至所述第二預(yù)設(shè)深度，還經(jīng)所述第三開口自所述第一凹部底端向所述襯底方向刻蝕所述絕緣結(jié)構(gòu)至所述第二預(yù)設(shè)深度，以便于所述第一接觸孔與所述第二接觸孔分別穿過所述絕緣結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其中，所述第一掩模包含硬掩模材料，且被保留，所述硬掩模材料作為所述第二掩模。
8.根據(jù)權(quán)利要求4或6所述的制造方法，其中，形成所述絕緣結(jié)構(gòu)的步驟包括：
形成包覆所述柵極結(jié)構(gòu)表面的隔離層；以及
在所述襯底與所述隔離層上形成介質(zhì)層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
