[發明專利]封裝結構及其形成方法有效
| 申請號: | 202010174461.6 | 申請日: | 2020-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN113394118B | 公開(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發明(設計)人: | 張志偉 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/31 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;董琳 |
| 地址: | 230001 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 結構 及其 形成 方法 | ||
本發明涉及一種封裝結構及其形成方法,所述封裝結構包括:基板,所述基板具有相對的第一表面和第二表面,所述基板的第一表面內具有至少一個長條狀的凹槽,所述凹槽的兩端延伸至基板邊緣,為開放端口,所述凹槽的深度小于所述基板的厚度;芯片,所述芯片通過焊接凸點倒裝固定于所述基板的第一表面上,通過所述焊接凸點與所述基板之間形成電連接,所述凹槽至少部分位于所述芯片在所述基板上的投影內;底部填充層,填充滿所述芯片與所述基板的第一表面之間的間隙;塑封層,覆蓋所述底部填充層,并包裹所述芯片。所述封裝結構在注塑過程中能夠有效排出內部氣體,且不影響基板背面的連接面積。
技術領域
本發明涉及芯片封裝領域,尤其涉及一種封裝結構及其形成方法。
背景技術
芯片在封裝完成后,需要通過注塑將封裝完成后的芯片進行包裹,從而對芯片進行保護。
對于通過倒裝工藝(Flip chip)封裝的芯片,芯片與基板之間通過焊球與基板上的電路連接。塑封過程,需要將塑封料包裹整個芯片,填充滿芯片與基板之間的間隙。由于芯片與基板之間直接通過焊球或其他焊接凸點連接,間隙較小,連接點之間間隔距離也較小,因此,塑封料在填充時空氣不易排出,容易在芯片與基板之間的塑封料內產生氣泡,影響倒裝芯片的穩定性,例如因為熱脹冷縮會導致氣泡膨脹使倒裝芯片脫離基板。
現有技術中,為了便于在注塑過程中有利于氣體的排出,會在封裝基板上設置多個氣孔,從而在注塑過程中,隨著塑封料的填充,氣體自基板上的氣孔排出。請參考圖1,為現有技術中形成有氣孔101的基板100的俯視示意圖。為了具有較好的排氣效果,通常會在基板上形成多個氣孔,但是由于基板上大部分區域都要用于與芯片連接,因此,能夠形成氣孔的面積較小,形成較多數量的氣孔,使得每個氣孔的尺寸都較小,雖然氣孔數量增多,可以增加排氣位置,但是由于氣孔尺寸小又會很容易被塑封料堵住,對排氣效果的改善有限。并且由于氣孔貫穿所述基板,會占據基板內用于形成線路的面積,導致基板內的電路設計受限,特別是在基板背面形成焊球的數量及位置分布會受到較大的影響,導致基板背面的連接區域面積減小。
因此,如何在注塑過程中,避免封裝結構內氣體殘留的同時,不影響在封裝芯片的基板背面的連接區域是亟需解決的問題。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是,提供一種封裝結構及其形成方法,提高封裝結構的可靠性,且不影響基板背面的連接區域。
為了解決上述問題,本發明提供了一種封裝結構,包括:基板,所述基板具有相對的第一表面和第二表面,所述基板的第一表面內具有至少一個長條狀的凹槽,所述凹槽的兩端延伸至基板邊緣,為開放端口,所述凹槽的深度小于所述基板的厚度;芯片,所述芯片通過焊接凸點倒裝固定于所述基板的第一表面上,通過所述焊接凸點與所述基板之間形成電連接,所述凹槽至少部分位于所述芯片在所述基板上的投影內;底部填充層,填充滿所述芯片與所述基板的第一表面之間的間隙;塑封層,覆蓋所述底部填充層,并包裹所述芯片。
可選的,所述基板的第一表面內具有兩個以上的所述凹槽,不同凹槽之間平行排列或相互交叉連通。
可選的,所述凹槽的寬度小于底部填充層的材料在液態狀態下的可填充寬度。
可選的,所述凹槽的寬度小于4μm。
可選的,所述凹槽的深度為基板厚度的1%-70%。
可選的,所述凹槽的深度為80μm~0.5mm。
可選的,所述凹槽為直線形或曲線形。
可選的,至少一個凹槽位于所述基板的對稱軸位置處。
可選的,所述基板為矩形時,至少一個所述凹槽沿所述基板的長度方向延伸。
可選的,所述凹槽頂部被所述底部填充層封閉,內部形成一連續氣體通路。
可選的,還包括:焊球,形成于所述基板的第二表面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





