[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010174461.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113394118B | 公開(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張志偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;H01L21/31 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;董琳 |
| 地址: | 230001 安徽省合肥市*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 形成 方法 | ||
1.一種封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
基板,所述基板具有相對(duì)的第一表面和第二表面,所述基板的第一表面內(nèi)具有至少一個(gè)長(zhǎng)條狀的凹槽,所述凹槽的兩端延伸至基板邊緣,為開放端口,所述凹槽的深度小于所述基板的厚度;
芯片,所述芯片通過(guò)焊接凸點(diǎn)倒裝固定于所述基板的第一表面上,通過(guò)所述焊接凸點(diǎn)與所述基板之間形成電連接,所述凹槽至少部分位于所述芯片在所述基板上的投影內(nèi);
底部填充層,填充滿所述芯片與所述基板的第一表面之間的間隙,所述凹槽的寬度小于底部填充層的材料在液態(tài)狀態(tài)下的可填充寬度,所述凹槽內(nèi)部形成有一連續(xù)氣體通路;
塑封層,覆蓋所述底部填充層,并包裹所述芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述基板的第一表面內(nèi)具有兩個(gè)以上的所述凹槽,不同凹槽之間平行排列或相互交叉連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述凹槽的寬度小于4μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述凹槽的深度為基板厚度的1%-70%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述凹槽的深度為80μm~0.5mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述凹槽為直線形或曲線形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,至少一個(gè)凹槽位于所述基板的對(duì)稱軸位置處。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述基板為矩形時(shí),至少一個(gè)所述凹槽沿所述基板的長(zhǎng)度方向延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述凹槽頂部被所述底部填充層封閉,內(nèi)部形成一連續(xù)氣體通路。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括:焊球,形成于所述基板的第二表面。
11.一種封裝結(jié)構(gòu)的形成方法,其特征在于,包括:
提供封裝芯片,所述封裝芯片包括基板和固定于所述基板上的芯片;所述基板具有相對(duì)的第一表面和第二表面,所述基板的第一表面內(nèi)形成有至少一個(gè)如權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)中所述的凹槽;所述芯片通過(guò)倒裝工藝的焊接凸點(diǎn)固定于所述基板的第一表面上,所述焊接凸點(diǎn)與所述基板之間形成電連接,所述凹槽至少部分位于所述芯片在所述基板上的投影內(nèi);
對(duì)所述封裝芯片進(jìn)行注塑處理,形成填充于所述芯片與所述基板的第一表面之間的間隙內(nèi)的底部填充層,以及覆蓋所述底部填充層并包裹所述芯片的塑封層,所述凹槽的寬度小于底部填充層的材料在液態(tài)狀態(tài)下的可填充寬度,所述凹槽內(nèi)部形成有一連續(xù)氣體通路。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的形成方法,其特征在于,在形成底部填充層的過(guò)程中,通過(guò)所述凹槽排出封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的氣體。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的形成方法,其特征在于,對(duì)所述封裝芯片進(jìn)行注塑處理的方法包括:提供注塑模具,所述注塑模具包括底盤和封蓋,所述封蓋用于蓋合于所述底盤上,與所述底盤之間形成空腔;將所述封裝芯片置于所述空腔內(nèi),所述基板放置于所述底盤表面;利用毛細(xì)效應(yīng),將底部填充劑填充進(jìn)所述芯片底部與基板之間的間隙內(nèi);向所述空腔內(nèi)注入液態(tài)塑封料,直至所述液態(tài)塑封料填充滿所述空腔;進(jìn)行熱處理,使所述液態(tài)塑封料和底部填充劑固化,形成固態(tài)的塑封層和底部填充層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的形成方法,其特征在于,所述封蓋上具有至少一個(gè)開孔,所述開孔連通所述空腔與外界;通過(guò)至少一個(gè)所述開孔向所述空腔內(nèi)注入液態(tài)塑封料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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