[發明專利]電絕緣垂直發射裝置

有效

• 申請號: 202010174373.6
• 申請日: 2020-03-13
• 公開（公告）號: CN111799651B
• 公開（公告）日: 2023-01-06
• 發明（設計）人: A.袁
• 申請（專利權）人: 朗美通經營有限責任公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 賀紫秋

一種裝置，包括基板、在基板上的第一垂直腔表面發射激光器(VCSEL)陣列、在基板上并與第一VCSEL陣列相鄰的第二VCSEL陣列、以及在第一VCSEL陣列和第二VCSEL陣列之間的絕緣結構。該絕緣結構在第一VCSEL陣列和第二VCSEL陣列之間提供電絕緣。

相關申請

按照35U.S.C.§119，本申請要求2019年4月1日提交的美國臨時申請號62/827,545的優先權，其標題為“ELECTRICAL ISOLATION OF VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTINGLASER EMITTERS”，其內容通過引用全部結合于此。

技術領域

本公開涉及垂直發射裝置的電絕緣，更具體地，涉及使用絕緣結構來使垂直發射裝置電絕緣。

背景技術

諸如垂直腔表面發射激光器(VCSEL)的垂直發射裝置可以包括激光器、光發射器和/或類似物，其中光束在垂直于基板表面的方向上發射(例如，從半導體晶片的表面垂直發射)。多個垂直發射裝置可以布置在公共基板上的一個或多個發射器陣列(例如，VCSEL陣列)中。

發明內容

根據一些實施方式，裝置可以包括基板、在基板上的第一垂直腔表面發射激光器(VCSEL)陣列、在基板上并與第一VCSEL陣列相鄰的第二VCSEL陣列、以及在第一VCSEL陣列和第二VCSEL陣列之間的絕緣結構。該絕緣結構可以在第一VCSEL陣列和第二VCSEL陣列之間提供電絕緣。

根據一些實施方式，裝置可以包括基板、在基板上的多個VCSEL、從基板的底側蝕刻以將陽極電連接到所述多個VCSEL中的一個VCSEL的背側過孔、以及絕緣結構。該絕緣結構可以為VCSEL提供電絕緣。

根據一些實施方式，裝置可以包括基板、在基板上的第一VCSEL陣列、在基板上的并與第一VCSEL陣列相鄰的第二VCSEL陣列、從基板的底側蝕刻以將第一VCSEL陣列中的第一VCSEL的陰極電連接到第二VCSEL陣列中的第二VCSEL的陽極的背側過孔、以及在第一VCSEL陣列和第二VCSEL陣列之間的絕緣結構。該絕緣結構可以在第一VCSEL和第二VCSEL之間提供電絕緣。

附圖說明

圖1示出了包括多個VCSEL陣列和絕緣結構的裝置的俯視圖和截面圖。

圖2A-2B分別是顯示了示例性VCSEL的俯視圖和示例性VCSEL的示例性橫截面圖。

圖3示出了包括VCSEL陣列和絕緣結構的裝置的俯視圖和截面圖。

圖4示出了包括VCSEL陣列和絕緣結構的裝置的俯視圖和截面圖。

圖5示出了包括多個VCSEL陣列和絕緣結構的裝置的俯視圖。

圖6示出了包括多個VCSEL陣列和絕緣結構的裝置的俯視圖。

圖7是用于使得VCSEL陣列電絕緣的示例過程的流程圖。

圖8是用于使得VCSEL陣列電絕緣的示例過程的流程圖。

具體實施方式

示例性實施方式的以下詳細描述參照了附隨的附圖。相同附圖標記在不同附圖中可以表示相同或相似的元件。