[發明專利]電絕緣垂直發射裝置

有效

• 申請號: 202010174373.6
• 申請日: 2020-03-13
• 公開（公告）號: CN111799651B
• 公開（公告）日: 2023-01-06
• 發明（設計）人: A.袁
• 申請（專利權）人: 朗美通經營有限責任公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 賀紫秋

1.一種垂直發射裝置，包括:

基板；

第一垂直腔表面發射激光器VCSEL陣列，其在基板上；

第二VCSEL陣列，其在基板上并與第一VCSEL陣列相鄰；

絕緣結構，其在第一VCSEL陣列和第二VCSEL陣列之間，其中，該絕緣結構在第一VCSEL陣列和第二VCSEL陣列之間提供電絕緣；和

背側過孔，其從基板的底側蝕刻，以將包括在第一VCSEL陣列中的第一VCSEL的陰極與包括在第二VCSEL陣列中的第二VCSEL的陽極電連接，其中，第一VCSEL的陰極在所述基板的底側，第二VCSEL的陽極在所述基板的頂側。

2.如權利要求1所述的垂直發射裝置，其中，該絕緣結構包括:

至少部分填充有非導電材料的溝槽。

3.如權利要求2所述的垂直發射裝置，其中，所述溝槽圍繞第一VCSEL陣列。

4.如權利要求2所述的垂直發射裝置，其中，所述溝槽從第一VCSEL陣列和第二VCSEL陣列的公共第一邊緣延伸到第一VCSEL陣列和第二VCSEL陣列的第二公共邊緣。

5.如權利要求2所述的垂直發射裝置，其中，所述溝槽包括機械支撐結構，以向第一VCSEL陣列提供機械支撐。

6.如權利要求1所述的垂直發射裝置，其中，所述絕緣結構從基板的底側或從基板的頂側蝕刻。

7.如權利要求2所述的垂直發射裝置，其中，所述背側過孔包括在與第一VCSEL陣列關聯的過孔陣列中，并且，所述溝槽圍繞所述過孔陣列。

8.一種垂直發射裝置，包括：

基板；

多個垂直腔表面發射激光器，即多個VCSEL，其在基板上；

背側過孔，其從基板的底側蝕刻，以將所述多個VCSEL中的第一VCSEL的陰極電連接到所述多個VCSEL中的第二VCSEL的陽極，其中，第一VCSEL的陰極在所述基板的底側，第二VCSEL的陽極在所述基板的頂側；和

絕緣結構，

其中，所述絕緣結構為VCSEL提供電絕緣。

9.如權利要求8所述的垂直發射裝置，其中，所述絕緣結構包括溝槽。

10.如權利要求9所述的垂直發射裝置，其中，所述背側過孔包括在與所述多個VCSEL相關聯的過孔陣列中；并且

其中，所述溝槽圍繞所述過孔陣列。

11.如權利要求9所述的垂直發射裝置，其中，所述溝槽從所述裝置的第一邊緣延伸到所述裝置的第二邊緣。

12.如權利要求11所述的垂直發射裝置，其中，當所述裝置與晶片分離時，完成電絕緣。

13.如權利要求9所述的垂直發射裝置，其中，所述溝槽至少部分填充有非導電材料；并且，

其中，所述非導電材料包括聚合物。

14.如權利要求9所述的裝置，其中，所述溝槽從基板的底側或從基板的頂側蝕刻。

15.如權利要求9所述的垂直發射裝置，其中，所述溝槽提供第一VCSEL和第二VCSEL之間的電絕緣，并且，所述溝槽從所述基板的底側或所述基板的頂側蝕刻。