[發明專利]金屬-絕緣層-金屬電容器及其制作方法

在審

• 申請號: 202010173258.7
• 申請日: 2020-03-13
• 公開（公告）號: CN113394341A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 黃柏偉;康峻維;賴和裕;張志圣
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02;H01L23/64
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種金屬-絕緣層-金屬(metal-insulator-metal，MIM)電容器，其特征在于，包括：

基材；

第一金屬層，具有平坦化表面；

沉積結構，位于該第一金屬層之上，且至少一部分延伸進入該平坦化表面中，其中該第一金屬層與該沉積結構具有相同材料；

介電層，位于該沉積結構上方；以及

第二金屬層，位于該介電層之上。

2.如權利要求1所述的金屬-絕緣層-金屬電容器，其中該第一金屬層與該沉積結構之間具有晶格界面(grain boundary)。

3.如權利要求1所述的金屬-絕緣層-金屬電容器，其中該沉積結構具有沉積表面，位于該平坦化表面上方；該平坦化表面具有第一粗糙度，該沉積表面具有第二粗糙度；且該第二粗糙度大于該第一粗糙度。

4.如權利要求3所述的金屬-絕緣層-金屬電容器，其中該第一表面粗糙度的偏差值算術平均數(Ra)為0.09納米(nm)；該第二粗糙度的偏差值算術平均數為0.51納米。

5.如權利要求1所述的金屬-絕緣層-金屬電容器，其中該第一金屬層和該沉積結構包括氮化鈦。

6.如權利要求1所述的金屬-絕緣層-金屬電容器，其中該沉積結構覆蓋于該平坦化表面上，且具有至少一突出部，延伸進入該平坦化表面的凹室之中。

7.如權利要求1所述的金屬-絕緣層-金屬電容器，其中該沉積結構具有沉積表面，位于該平坦化表面上方，該介電層與該沉積表面直接接觸。

8.一種金屬-絕緣層-金屬電容器的制作方法，包括：

在基材上形成第一金屬層；

對該第一金屬層進行第一平坦化制作工藝，使該第一金屬層具有平坦化表面；

進行第一沉積制作工藝，以于該第一金屬層之上形成沉積結構，使該沉積結構至少一部分延伸進入該平坦化表面中，且使該第一金屬層與該沉積結構具有相同材料；

在該沉積結構上方形成介電層；以及

在該介電層之上形成第二金屬層。

9.如權利要求8所述的金屬-絕緣層-金屬電容器的制作方法，其中在形成該介電層之前，還包括對該沉積表面進行氮氣處理。

10.如權利要求8所述的金屬-絕緣層-金屬電容器的制作方法，在進行該第一沉積制作工藝之后，還包括:

進行第二平坦化制作工藝；以及

以該相同材料進行第二沉積制作工藝，以形成該沉積結構。