[發明專利]帶基材的燒結接合用片的卷繞體

在審

• 申請號: 202010171624.5
• 申請日: 2020-03-12
• 公開（公告）號: CN111690340A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 三田亮太;市川智昭
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/30
• 分類號: C09J7/30;C09J9/02;C09J169/00;C09J11/06;H01L23/00;H01L23/488
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

提供在包含半導體芯片燒結接合部位的半導體裝置的制造過程中實現良好的作業效率、并且兼具良好的保存穩定性和高保存效率的帶基材的燒結接合用片的卷繞體。本發明的卷繞體(1)形成為帶基材的燒結接合用片(X)相對于卷芯(2)被卷繞成卷狀的形態，所述帶基材的燒結接合用片(X)具有層疊結構，所述層疊結構包括：基材(11)；燒結接合用片(10)，其包含含有導電性金屬的燒結性顆粒和粘結劑成分。

技術領域

本發明涉及能夠用于半導體裝置的制造等的、帶基材的燒結接合用片的卷繞體。

背景技術

半導體裝置的制造中，作為對于引線框、絕緣電路基板等支撐基板，將半導體芯片與支撐基板側電連接的同時進行芯片接合的方法，已知：在支撐基板與芯片之間形成Au-Si共晶合金層來實現接合狀態的方法；利用焊料、含有導電性顆粒的樹脂作為接合材料的方法。

另一方面，承擔電力的供給控制的功率半導體裝置的普及近年來變得顯著。功率半導體裝置常常由于工作時的通電量大而放熱量大。因此，功率半導體裝置的制造中，關于將半導體芯片與支撐基板側電連接的同時與支撐基板進行芯片接合的方法，要求在高溫工作時也能夠實現可靠性高的接合狀態。采用SiC、GaN作為半導體材料從而實現了高溫工作化的功率半導體裝置中，這種要求特別強烈。而且，為了響應這樣的要求，作為伴有電連接的芯片接合方法，提出了使用含有燒結性顆粒和溶劑等的燒結接合用的組合物的技術。

使用含有燒結性顆粒的燒結接合用材料進行的芯片接合中，首先，對于支撐基板的芯片接合預定部位，借助燒結接合用材料在規定的溫度·載荷條件下載置半導體芯片。之后，以在支撐基板與其上的半導體芯片之間產生燒結接合用材料中的溶劑的揮發等且燒結性顆粒間進行燒結的方式，進行規定的溫度·加壓條件下的加熱工序。由此，在支撐基板與半導體芯片之間形成燒結層，半導體芯片對支撐基板進行電連接的同時進行機械接合。這種技術例如記載于下述專利文獻1、2。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-039580號公報

專利文獻2：日本特開2014-111800號公報

發明內容

發明要解決的問題

在要進行基于燒結接合的芯片接合的半導體裝置制造過程中，以往，有時將含有燒結性顆粒的糊狀組合物涂布于每個半導體芯片。但是，這種方法沒有效率。

另一方面，要進行基于燒結接合的芯片接合的半導體裝置制造過程中，為了對多個半導體芯片一次性供給燒結接合用材料，考慮例如經過如下那樣的工藝。首先，在單面具有粘合面的加工用帶和/或其粘合面上排列多個半導體芯片。接著，對加工用帶上的半導體芯片陣列按壓并貼合制作成了片形態的作為燒結接合用材料的帶基材的燒結接合用片。接著，將燒結接合用片中被壓接于半導體芯片的部位殘留在該半導體芯片上，同時進行該片體的剝離。通過該片體的貼合和之后的剝離，進行燒結接合用材料從片體向各半導體芯片的轉印(即，從基材剝離的燒結接合用片小片轉移到半導體芯片上)，由此得到帶燒結接合用材料層的半導體芯片。根據這種方法，能夠對多個半導體芯片一次性供給燒結接合用材料。

但是，上述的帶基材的燒結接合用片由于具有單片狀的形態，因此在向半導體芯片轉印時需要1片1片地準備，存在輸送性差的問題。另外，對半導體芯片陣列的定位需要規定至少兩個方向，從作業效率的觀點出發不優選。進而，采用單片狀的形態時，在空氣中的暴露面積變大，因此，這種燒結接合用片從保存穩定性的觀點出發也是不優選的。進而，具有單片狀形態的燒結接合用片成為在保存時體積大的原因，需要寬闊的保管場所，因此，從保存效率的觀點出發不優選。

本發明是基于以上的情況構思的，其目的在于提供如下所述的帶基材的燒結接合用片的卷繞體，其在包含半導體芯片燒結接合部位的半導體裝置的制造過程中實現良好的作業效率，并且兼具良好的保存穩定性和高的保存效率。