[發明專利]一種測試結構及半導體器件

有效

• 申請號: 202010171415.0
• 申請日: 2020-03-12
• 公開（公告）號: CN111341834B
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發明（設計）人: 湯志林;王卉;付永琴
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L23/58;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種測試結構，其特征在于，包括：

第一摻雜類型區，包括至少一個摻雜深度的子區域，每個所述子區域具有至少一個第一有源區；

第二摻雜類型區，包括至少一個摻雜深度的子區域，每個所述子區域具有至少一個第二有源區,其中，所述第一摻雜類型區的摻雜類型為P型，所述第二摻雜類型區的摻雜類型為N型，或者，所述第一摻雜類型區的摻雜類型為N型，所述第二摻雜類型區的摻雜類型為P型；

所述第一摻雜類型區和所述第二摻雜類型區相鄰設置，所述第一有源區和第二有源區串聯，形成串聯電路，并通過所述串聯電路檢測所述測試結構的電流。

2.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述第一摻雜類型區包括第一子區域、第二子區域和第三子區域，所述第一子區域、第二子區域和第三子區域通過淺溝槽隔離結構間隔。

3.如權利要求2所述的測試結構，其特征在于，所述第一子區域的第一有源區、第二子區域的第一有源區和第三子區域的第一有源區平行設置，且每個所述第一有源區之間通過淺溝槽隔離結構間隔開。

4.如權利要求3所述的測試結構，其特征在于，所述第一子區域中相鄰的第一有源區平行設置，所述第二子區域中相鄰的第一有源區平行設置，所述第三子區域中相鄰的第一有源區平行設置，且每個所述第一有源區之間通過STI間隔開。

5.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述第二摻雜類型區包括第四子區域、第五子區域和第六子區域，所述第四子區域、第五子區域和第六子區域通過淺溝槽隔離結構間隔。

6.如權利要求5所述的測試結構，其特征在于，所述第四子區域的第二有源區、第五子區域的第二有源區和第六子區域的第二有源區平行設置，且每個所述第二有源區之間通過淺溝槽隔離結構間隔開。

7.如權利要求6所述的測試結構，其特征在于，所述第四子區域中相鄰的第二有源區平行設置，所述第五子區域中相鄰的第二有源區平行設置，所述第六子區域中相鄰的第二有源區平行設置，且每個所述第二有源區之間通過淺溝槽隔離結構間隔開。

8.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，還包括連接點，所述連接點設置在所述第一有源區和第二有源區上，所述第一有源區和第二有源區的通過連接所述連接點將所述第一有源區和第二有源區串聯。

9.一種半導體器件，其特征在于，包括如權利要求1-8中任一項所述的測試結構。

10.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，還包括功能結構，所述功能結構和測試結構相鄰設置。