[發(fā)明專(zhuān)利]一種晶圓測(cè)試裝置和晶圓測(cè)試方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010171224.4
• 申請(qǐng)日: 2020-03-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111308306A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李志雄;程振
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市江波龍電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R31/26
• 分類(lèi)號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

1.一種晶圓測(cè)試裝置，其特征在于，所述晶圓測(cè)試裝置包括：

承載臺(tái)，用于放置待測(cè)試晶圓，所述待測(cè)試晶圓上設(shè)置有被測(cè)焊盤(pán)；

測(cè)試載板，所述測(cè)試載板的測(cè)試面上設(shè)置有凸起的測(cè)試焊盤(pán)，且所述測(cè)試面朝向所述承載臺(tái)；

其中，在所述晶圓測(cè)試裝置對(duì)待測(cè)試晶圓進(jìn)行測(cè)試時(shí)，在所述測(cè)試載板和所述待測(cè)試晶圓之間設(shè)置導(dǎo)電膠層，并控制所述測(cè)試載板朝向所述承載臺(tái)移動(dòng)，以使所述測(cè)試載板和所述待測(cè)試晶圓對(duì)所述導(dǎo)電膠層產(chǎn)生壓力，進(jìn)而使所述測(cè)試焊盤(pán)和所述被測(cè)焊盤(pán)電連接以進(jìn)行測(cè)試。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓測(cè)試裝置，其特征在于，

所述測(cè)試焊盤(pán)為采用電鍍工藝制作的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓測(cè)試裝置，其特征在于，

所述測(cè)試焊盤(pán)的凸起高度大于40μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓測(cè)試裝置，其特征在于，

所述導(dǎo)電膠為結(jié)構(gòu)型導(dǎo)電膠或復(fù)合填充型導(dǎo)電膠。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓測(cè)試裝置，其特征在于，

所述晶圓測(cè)試裝置還包括：

固定框架，設(shè)置于所述導(dǎo)電膠層的周?chē)糜趯?duì)所述導(dǎo)電膠層進(jìn)行固定；

連接機(jī)構(gòu)，連接所述固定框架和所述測(cè)試載板，用于將所述導(dǎo)電膠層固定于所述測(cè)試面上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓測(cè)試裝置，其特征在于，

所述導(dǎo)電膠層涂覆于所述待測(cè)試晶圓上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓測(cè)試裝置，其特征在于，

所述導(dǎo)電膠層和所述待測(cè)試晶圓之間還設(shè)置有絕緣層，所述絕緣層上設(shè)置有過(guò)孔，以使所述被測(cè)焊盤(pán)從所述過(guò)孔中裸露并與所述導(dǎo)電膠層接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓測(cè)試裝置，其特征在于，

所述晶圓測(cè)試裝置還包括：

傳感器，用于檢測(cè)所述測(cè)試載板和所述待測(cè)試晶圓的位置，以使所述測(cè)試焊盤(pán)和所述被測(cè)焊盤(pán)對(duì)準(zhǔn)；

驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，連接所述測(cè)試載板，用于驅(qū)動(dòng)所述測(cè)試載板朝向或遠(yuǎn)離所述承載臺(tái)移動(dòng)；

控制器，連接所述傳感器和所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，用于在所述所述測(cè)試焊盤(pán)和所述被測(cè)焊盤(pán)對(duì)準(zhǔn)時(shí)，控制所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述測(cè)試載板朝向所述承載臺(tái)移動(dòng)。

9.一種晶圓測(cè)試方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一待測(cè)試晶圓；其中，所述待測(cè)試晶圓上設(shè)置有被測(cè)焊盤(pán)；

在所述待測(cè)試晶圓和測(cè)試載板的測(cè)試面之間設(shè)置導(dǎo)電膠層；其中，所述測(cè)試載板的測(cè)試面上設(shè)置有凸起的測(cè)試焊盤(pán)，且所述測(cè)試面朝向所述承載臺(tái)；

控制所述測(cè)試載板朝向所述待測(cè)試晶圓移動(dòng)，以使所述測(cè)試載板和所述待測(cè)試晶圓對(duì)所述導(dǎo)電膠層產(chǎn)生壓力，進(jìn)而使所述測(cè)試焊盤(pán)和所述被測(cè)焊盤(pán)電連接以進(jìn)行測(cè)試。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，

所述在所述待測(cè)試晶圓和測(cè)試載板的測(cè)試面之間設(shè)置導(dǎo)電膠層，包括：

在所述測(cè)試載板的測(cè)試面上設(shè)置導(dǎo)電膠層；或

在所述待測(cè)試晶圓上涂覆導(dǎo)電膠層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，

所述在所述測(cè)試載板的測(cè)試面上設(shè)置導(dǎo)電膠層，包括：

利用固定框架對(duì)導(dǎo)電膠層的周?chē)M(jìn)行固定；

利用連接機(jī)構(gòu)將所述固定框架固定在所述測(cè)試載板的測(cè)試面。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，

所述在所述待測(cè)試晶圓上涂覆導(dǎo)電膠層，包括：

在所述待測(cè)試晶圓上涂覆絕緣層；

在所述絕緣層上制作過(guò)孔，以使所述待測(cè)試晶圓上的被測(cè)焊盤(pán)裸露；

在所述絕緣層上涂覆導(dǎo)電膠層，以使所述導(dǎo)電膠層與所述被測(cè)焊盤(pán)接觸。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，

所述方法還包括：

在所述待測(cè)試晶圓測(cè)試完成之后，去除所述待測(cè)試晶圓的所述導(dǎo)電膠層和所述絕緣層。