[發明專利]一種平電場溝槽半導體芯片終端結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202010170752.8
• 申請日: 2020-03-12
• 公開（公告）號: CN113394264A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 趙家寬;曾丹;史波;趙浩宇;劉勇強
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司;珠海零邊界集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/40
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;張杰

1.一種平電場溝槽半導體芯片終端結構，其特征在于，包括：

在N型襯底上形成的P區和P+區，其中，所述P區和所述P+區彼此鄰接；

位于所述N型襯底表面上的凹型溝槽，其中，所述凹型溝槽的底部由第一表面、第二表面以及第三表面構成，其中，所述第一表面為所述P區的上表面，所述第二表面為所述P+區與所述P區鄰接的區域的表面，所述第三表面為所述N型襯底與所述P區鄰接的區域的表面；

填充所述凹型溝槽且覆蓋在所述凹型溝槽周邊的所述P+區和所述N型襯底的表面上的氧化層；

在所述氧化層上于靠近所述P+區的一側間隔分布的多個多晶硅場板；

位于所述多個多晶硅場板和未被所述多個多晶硅場板覆蓋的所述氧化層表面上的絕緣層；

在所述絕緣層上于相對所述多個多晶硅場板的上方設置的多個金屬場板，其中，所述多個金屬場板中的部分金屬場板通過穿過其下方所述絕緣層的第一接觸孔接觸所述多晶硅場板，并且通過穿過其下方所述絕緣層、所述多晶硅場板和所述氧化層的第二接觸孔接觸所述P+區；

在所述絕緣層上于相對未被所述多個多晶硅場板覆蓋的所述氧化層表面的上方設置的金屬場板；

位于所述多個金屬場板及未被所述金屬場板覆蓋的所述絕緣層表面上的鈍化層；

位于所述N型襯底之下的金屬層。

2.根據權利要求1所述的半導體芯片終端結構，其特征在于，

所述P+區的厚度大于所述P區的厚度。

3.根據權利要求2所述的半導體芯片終端結構，其特征在于，

所述P+區注入劑量大于等于所述P區注入劑量。

4.根據權利要求3所述的半導體芯片終端結構，其特征在于，

所述N型襯底摻雜濃度的范圍為4.45×10¹⁴cm^-3～1.08×10¹⁴cm^-3；

所述P區注入劑量的范圍為1.00×10¹¹cm^-2～1.00×10¹³cm^-2；

所述P+區注入劑量的范圍為1.00×10¹³cm^-2～1.00×10¹⁵cm^-2；

所述凹型溝槽的深度的范圍為0.5μm～2μm，寬度的范圍為50μm～150μm；

所述氧化層的厚度的范圍為1μm～5μm；

所述絕緣層的厚度的范圍為

所述多晶硅場板的厚度的范圍為摻雜濃度的范圍為1.00×10¹⁶cm^-3～1.00×10²⁰cm^-3。

5.根據權利要求4所述的半導體芯片終端結構，其特征在于，

所述氧化層材料為二氧化硅；

所述絕緣層材料為硼磷硅玻璃、硅酸鹽玻璃或硼磷硅玻璃與硅酸鹽玻璃的混合材料；

所述金屬場板材料為鋁或鋁硅合金；

所述鈍化層材料為氮化物、氧化物或有機物。