[發(fā)明專利]蝕刻裝置及蝕刻方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010170494.3
• 申請(qǐng)日: 2020-03-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111334799B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李嘉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C23F1/08
• 分類號(hào): C23F1/08;C23F1/16;G02F1/13
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

本揭示提供一種蝕刻裝置及蝕刻方法，蝕刻裝置包括檢測(cè)系統(tǒng)、投料系統(tǒng)、儲(chǔ)液系統(tǒng)、蝕刻系統(tǒng)、以及排液系統(tǒng)。在制備不同的金屬層時(shí)，投料系統(tǒng)內(nèi)可配制不同的蝕刻液，并將不同的蝕刻液輸入到蝕刻系統(tǒng)內(nèi)，以完成不同蝕刻階段不同金屬層的蝕刻，從而提高蝕刻裝置的稼動(dòng)率，降低金屬層的錐形角，并保證蝕刻效果，降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本揭示涉及面板制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種蝕刻裝置及蝕刻方法。

背景技術(shù)

顯示設(shè)備已被廣泛的應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域之中，顯示設(shè)備制造的良率將直接影響到設(shè)備的顯示質(zhì)量。

液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)在制備過(guò)程中，會(huì)經(jīng)過(guò)蝕刻工藝處理。蝕刻工藝是指通過(guò)顯影工藝后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜層去除，在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液，并達(dá)到溶解腐蝕的作用。而隨著顯示面板尺寸的持續(xù)增加以及面板內(nèi)銅膜使用厚度的不斷增加，對(duì)蝕刻工藝的要求也越來(lái)越高。現(xiàn)有的蝕刻工藝中，需要對(duì)第一金屬層和第二金屬層進(jìn)行蝕刻，在蝕刻時(shí)，常常使用同一蝕刻液對(duì)第一金屬層和第二金屬層進(jìn)行刻蝕，而蝕刻的銅線上的保護(hù)膜層較厚，蝕刻不完全，金屬層邊緣的錐形角過(guò)陡，同時(shí)，同一蝕刻液不能有效的對(duì)兩種金屬層進(jìn)行蝕刻，需要經(jīng)常轉(zhuǎn)換蝕刻液，進(jìn)而造成了刻蝕機(jī)臺(tái)的增加，降低了刻蝕機(jī)換酸的稼動(dòng)率。

綜上所述，現(xiàn)有的刻蝕工藝中，刻蝕機(jī)在對(duì)金屬層進(jìn)行刻蝕時(shí)，需要多次轉(zhuǎn)換不同的刻蝕液，設(shè)備的稼動(dòng)率下降，同時(shí)，在金屬層刻蝕后，由于刻蝕液的不同刻蝕速率，金屬層邊緣處的錐形角度較陡，容易對(duì)顯示設(shè)備造成不良影響，進(jìn)而減小顯示面板的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容

本揭示提供一種蝕刻裝置及蝕刻方法，以解決現(xiàn)有的蝕刻工藝過(guò)程中，蝕刻機(jī)需多次轉(zhuǎn)換不同的蝕刻液，設(shè)備的稼動(dòng)率下降，同時(shí)，蝕刻后，被蝕刻的不同金屬層的邊緣處錐形角度較陡，容易影響顯示設(shè)備的正常顯示，以及影響顯示面板的使用壽命的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本揭示實(shí)施例提供的技術(shù)方案如下：

根據(jù)本揭示實(shí)施例的第一方面，提供了一種蝕刻裝置，包括：

檢測(cè)系統(tǒng)；

投料系統(tǒng)，所述投料系統(tǒng)與所述檢測(cè)系統(tǒng)連接；

儲(chǔ)液系統(tǒng)，所述儲(chǔ)液系統(tǒng)與所述投料系統(tǒng)連接；

蝕刻系統(tǒng)，所述蝕刻系統(tǒng)與所述儲(chǔ)液系統(tǒng)連接，且所述蝕刻系統(tǒng)與所述檢測(cè)系統(tǒng)連接，所述蝕刻系統(tǒng)與所述投料系統(tǒng)連接；以及

排液系統(tǒng)，所述排液系統(tǒng)與所述蝕刻系統(tǒng)連接；

其中，所述儲(chǔ)液系統(tǒng)用以向所述蝕刻系統(tǒng)提供所述蝕刻液，以完成第一金屬層蝕刻，所述檢測(cè)系統(tǒng)用以檢測(cè)所述蝕刻系統(tǒng)內(nèi)的蝕刻液的含量，并控制所述投料系統(tǒng)向所述蝕刻系統(tǒng)投放蝕刻材料，以完成第二金屬層蝕刻。

根據(jù)本揭示一實(shí)施例，所述投料系統(tǒng)包括驅(qū)動(dòng)電機(jī)以及、至少一蝕刻材料收納箱以及反應(yīng)室，所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)與所述蝕刻材料收納箱連接并驅(qū)動(dòng)所述蝕刻材料收納箱向所述投料系統(tǒng)投放所述蝕刻材料。

根據(jù)本揭示一實(shí)施例，所述投料系統(tǒng)還包括循環(huán)泵、進(jìn)液管以及出液管，所述反應(yīng)室通過(guò)所述進(jìn)液管與所述儲(chǔ)液系統(tǒng)連接，所述反應(yīng)室通過(guò)所述出液管與所述蝕刻系統(tǒng)連接。

根據(jù)本揭示一實(shí)施例，所述蝕刻材料包括銅酸以及添加劑。

根據(jù)本揭示一實(shí)施例，所述蝕刻材料中所述添加劑的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為0.001％～1％。

根據(jù)本揭示一實(shí)施例，所述添加劑包括唑類添加劑。

根據(jù)本揭示一實(shí)施例，所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)包括步進(jìn)電機(jī)。

根據(jù)本揭示實(shí)施例的第二方面，還提供一種蝕刻方法，所述蝕刻方法包括如下步驟：

S100：將蝕刻產(chǎn)品放入蝕刻系統(tǒng)中，并向儲(chǔ)液系統(tǒng)和蝕刻系統(tǒng)注入蝕刻液；