[發明專利]非100晶向單晶硅片的制備方法在審
| 申請號： | 202010170383.2 | 申請日： | 2020-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN111267248A | 公開（公告）日： | 2020-06-12 |
| 發明（設計）人： | 岳維維;孟祥熙;楊立功;曹育紅 | 申請（專利權）人： | 常州時創能源股份有限公司 |
| 主分類號： | B28D5/00 | 分類號： | B28D5/00 |
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| 地址： | 213300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 100 單晶硅 制備 方法 | ||
本發明公開了一種非100晶向單晶硅片的制備方法，包括如下步驟：將單晶硅棒切割出斜四棱柱狀硅塊；硅塊的底面與單晶硅棒的軸心垂直；硅塊的四個側面分為兩對：一對相互平行、且與底面垂直的第一側面，以及一對相互平行、且相對底面傾斜的第二側面；以平行于第二側面的方向對硅塊進行切片，切片所得的硅片為非100晶向的單晶硅片。本發明能以直徑240mm的單晶硅棒為原材料，制備210mm×210mm的非100晶向單晶硅片。
技術領域
本發明涉及非100晶向單晶硅片的制備方法。
背景技術
單晶硅片一般由100晶向的單晶硅棒切割而成，且所得的硅片一般為100晶向的單晶硅片。
而隨著太陽能電池技術的發展，非100晶向的單晶硅片也有需求，故需要研發一種可以制備非100晶向單晶硅片的方法。
發明內容
本發明的目的在于提供一種非100晶向單晶硅片的制備方法，包括如下步驟：
將單晶硅棒切割出硅塊；硅塊為斜四棱柱狀，硅塊的底面與單晶硅棒的軸心垂直，且底面為矩形；硅塊的四個側面分為兩對：一對相互平行、且與底面垂直的第一側面，以及一對相互平行、且相對底面傾斜的第二側面；
將硅塊切割出硅片；以平行于第二側面的方向對硅塊進行切片，切片所得的硅片為非100晶向的單晶硅片。
優選的，所述單晶硅棒為100晶向的單晶硅棒。
優選的，所述第二側面與底面的夾角不大于60度。
優選的，所述底面為長方形，第一側面與底面的寬邊平行，第二側面與底面的長邊平行。
優選的，所述硅塊的側棱長度與底面長邊長度相同。
優選的，所述硅塊的側棱長度為底面長邊長度的二分之一、三分之一、四分之一、五分之一或六分之一。
優選的，先對硅塊位于一對第二側面之間的四個邊線進行倒角，再將硅塊切割出硅片。
優選的，所述單晶硅棒的外徑不大于240mm。
優選的，所述底面長邊長度為210mm。
優選的，將單晶硅棒切割出硅塊時，有產生邊皮料；將邊皮料進一步切割為硅片。
本發明將100晶向的單晶硅棒切割出硅塊，而硅塊底面與單晶硅棒的軸心垂直，故硅塊底面也為100晶向，且硅塊的第二側面相對底面傾斜，故硅塊第二側面為非100晶向，而硅片由硅塊切片制得，且切片方向平行于第二側面，故硅塊切片所得的單晶硅片也為非100晶向。
第二側面與底面的夾角不大于60度，有利于非100晶向單晶硅片制絨形成斜棱錐絨面結構，該斜棱錐絨面結構有別于現有的正棱錐絨面結構，有一定的應用價值。
硅塊的側棱長度與底面長邊長度相同，即第二側面是正方形，故硅塊切片所得的單晶硅片為方片。
硅塊的側棱長度為底面長邊長度的二分之一、三分之一、四分之一、五分之一或六分之一，即第二側面是長方形，故硅塊切片所得的單晶硅片為長方形，該長方形硅片可以被視為上述方片的分片。
先對硅塊位于一對第二側面之間的四個邊線進行倒角，再將硅塊切割出硅片，可制備四個角都是倒角的非100晶向單晶硅片。
本發明能以直徑240mm的單晶硅棒為原材料，制備210mm×210mm的單晶硅片。
將單晶硅棒切割出硅塊時，有產生邊皮料；可將邊皮料進一步切割為硅片，以提高單晶硅棒的利用率。
附圖說明
圖1是本發明的示意圖。
具體實施方式
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