[發(fā)明專利]非100晶向單晶硅片的制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010170383.2
• 申請(qǐng)日: 2020-03-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111267248A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 岳維維;孟祥熙;楊立功;曹育紅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常州時(shí)創(chuàng)能源股份有限公司
• 主分類號(hào): B28D5/00
• 分類號(hào): B28D5/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.非100晶向單晶硅片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

將單晶硅棒切割出硅塊；硅塊為斜四棱柱狀，硅塊的底面與單晶硅棒的軸心垂直，且底面為矩形；硅塊的四個(gè)側(cè)面分為兩對(duì)：一對(duì)相互平行、且與底面垂直的第一側(cè)面，以及一對(duì)相互平行、且相對(duì)底面傾斜的第二側(cè)面；

將硅塊切割出硅片；以平行于第二側(cè)面的方向?qū)鑹K進(jìn)行切片，切片所得的硅片為非100晶向的單晶硅片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非100晶向單晶硅片的制備方法，其特征在于，先對(duì)硅塊位于一對(duì)第二側(cè)面之間的四個(gè)邊線進(jìn)行倒角，再將硅塊切割出硅片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非100晶向單晶硅片的制備方法，其特征在于，所述單晶硅棒為100晶向的單晶硅棒。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非100晶向單晶硅片的制備方法，其特征在于，所述第二側(cè)面與底面的夾角不大于60度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非100晶向單晶硅片的制備方法，其特征在于，所述底面為長(zhǎng)方形，第一側(cè)面與底面的寬邊平行，第二側(cè)面與底面的長(zhǎng)邊平行。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非100晶向單晶硅片的制備方法，其特征在于，所述硅塊的側(cè)棱長(zhǎng)度與底面長(zhǎng)邊長(zhǎng)度相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非100晶向單晶硅片的制備方法，其特征在于，所述硅塊的側(cè)棱長(zhǎng)度為底面長(zhǎng)邊長(zhǎng)度的二分之一、三分之一、四分之一、五分之一或六分之一。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非100晶向單晶硅片的制備方法，其特征在于，所述單晶硅棒的外徑不大于240mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的非100晶向單晶硅片的制備方法，其特征在于，所述底面長(zhǎng)邊長(zhǎng)度為210mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非100晶向單晶硅片的制備方法，其特征在于，將單晶硅棒切割出硅塊時(shí)，有產(chǎn)生邊皮料；將邊皮料進(jìn)一步切割為硅片。