[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝及半導(dǎo)體封裝的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010170321.1
• 申請(qǐng)日: 2020-03-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111755345A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 進(jìn)藤正典
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 拉碧斯半導(dǎo)體株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56;H01L23/14;H01L23/31
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

本發(fā)明提供一種可使用暫時(shí)支撐體簡(jiǎn)便地制造外部連接端子的連接強(qiáng)度高的半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體封裝的制造方法、及可提高外部連接端子的連接強(qiáng)度的半導(dǎo)體封裝。本發(fā)明在暫時(shí)支撐體上形成基底部及配置于基底部上的導(dǎo)電性的基座部，在暫時(shí)支撐體的形成有基底部及基座部的一側(cè)配置與基座部電連接的半導(dǎo)體元件，并在暫時(shí)支撐體上形成成為埋設(shè)基底部、基座部、及半導(dǎo)體元件的狀態(tài)的絕緣層。繼而，通過(guò)去除暫時(shí)支撐體而使基底部及絕緣層的暫時(shí)支撐體側(cè)的表面露出，進(jìn)而將露出的基底部去除，由此使基座部以比絕緣層的表面凹陷的狀態(tài)露出。在露出的基座部上形成外部連接端子，從而制造半導(dǎo)體封裝。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體封裝及半導(dǎo)體封裝的制造方法。

背景技術(shù)

利用樹(shù)脂將半導(dǎo)體芯片密封而成的半導(dǎo)體封裝例如是使用硅晶片等半導(dǎo)體基板進(jìn)行薄膜形成、反復(fù)進(jìn)行圖案化而形成電路圖案后，經(jīng)過(guò)重配線的形成、外部連接端子的形成、樹(shù)脂密封等各種工序而制造。作為外部連接端子，多數(shù)情況下使用焊球。

例如，在專利文獻(xiàn)1～專利文獻(xiàn)3中，公開(kāi)了具有如下構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置：在絕緣層內(nèi)形成有與半導(dǎo)體芯片電連接的重配線，在絕緣層的開(kāi)口部中層疊有與重配線電連接的基底金屬膜與阻擋金屬(barrier metal)，進(jìn)而在阻擋金屬上形成有焊球作為外部連接用的金屬端子(外部連接端子)。且公開(kāi)了將基底金屬膜作為基底(種子層(seed layer))并通過(guò)電鍍法形成阻擋金屬，在阻擋金屬上附著焊球來(lái)作為金屬端子。

另外，在專利文獻(xiàn)4中公開(kāi)了一種半導(dǎo)體封裝的制造方法等，其在導(dǎo)電性暫時(shí)支撐體上形成配線并搭載半導(dǎo)體元件，對(duì)與配線導(dǎo)通的半導(dǎo)體元件進(jìn)行樹(shù)脂密封后，去除導(dǎo)電性暫時(shí)支撐體而使配線露出，在形成外部連接端子的部位以外形成絕緣層，進(jìn)而在配線的未形成絕緣層的部位形成外部連接端子。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)1]日本專利特開(kāi)2011-166072號(hào)公報(bào)

[專利文獻(xiàn)2]日本專利特開(kāi)2014-197711號(hào)公報(bào)

[專利文獻(xiàn)3]日本專利特開(kāi)2016-66820號(hào)公報(bào)

[專利文獻(xiàn)4]日本專利特開(kāi)2011-146751號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

[發(fā)明所要解決的問(wèn)題]

另外，作為利用樹(shù)脂將半導(dǎo)體芯片密封而成的半導(dǎo)體封裝的制造方法，例如有如下方法：在玻璃基板等暫時(shí)支撐體上依次構(gòu)筑作為用以配置外部連接端子的基座部的Cu層、絕緣膜、重配線、半導(dǎo)體芯片，利用樹(shù)脂進(jìn)行模塑密封后，去除暫時(shí)支撐體，在自去除了暫時(shí)支撐體的一側(cè)的絕緣層露出的Cu層上，進(jìn)一步通過(guò)無(wú)電鍍形成Ni層(Ni基座)來(lái)作為阻擋金屬的基座部，在Ni基座上載置焊球作為外部連接端子。

在如上所述使用暫時(shí)支撐體的方法中，在去除暫時(shí)支撐體之前可穩(wěn)定地進(jìn)行搬送、成膜。但是，在去除暫時(shí)支撐體之后，作為裝置的強(qiáng)度大幅降低，操作性降低。因此，在去除暫時(shí)支撐體之后，用以形成Ni層作為基座部的無(wú)電鍍之類的濕法工藝有可能帶來(lái)裝置的損傷。因此，例如也考慮再次安裝暫時(shí)支撐體來(lái)提高穩(wěn)定性、操作性，但此情況下需要進(jìn)行多余的工序，會(huì)導(dǎo)致制造成本的上升。

圖24概略性地示出了如下情況下的基座部與外部連接端子的連接部分的一例：如上所述在暫時(shí)支撐體(未示出)上的規(guī)定位置形成作為基座部的Cu層(Cu基座)220、重配線240等，在去除暫時(shí)支撐體而露出的Cu基座220上，進(jìn)一步通過(guò)無(wú)電鍍形成Ni層(Ni基座)222。在去除暫時(shí)支撐體之后，當(dāng)在Cu層220上通過(guò)無(wú)電鍍形成Ni層(Ni基座)222來(lái)作為基座部時(shí)，Ni基座222形成為側(cè)面自絕緣膜230露出而比作為基底的Cu層(Cu基座)220寬大的狀態(tài)。當(dāng)在此種比作為基底的Cu基座220寬大的Ni基座222上載置焊球210并進(jìn)行連接時(shí)，Cu基座220與焊球210的實(shí)際有效連接面積小，端子強(qiáng)度有可能不足。