[發明專利]半導體封裝及半導體封裝的制造方法

在審

• 申請號: 202010170321.1
• 申請日: 2020-03-12
• 公開（公告）號: CN111755345A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 進藤正典
• 申請（專利權）人: 拉碧斯半導體株式會社
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/14;H01L23/31
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

1.一種半導體封裝的制造方法，包括：

在暫時支撐體上形成基底部及配置于所述基底部上的導電性的基座部的工序；

在所述暫時支撐體的形成有所述基底部及所述基座部的一側，配置與所述基座部電連接的半導體元件的工序；

在所述暫時支撐體上形成絕緣層的工序，所述絕緣層成為埋設所述基底部、所述基座部、及所述半導體元件的狀態；

通過去除所述暫時支撐體，使所述基底部及所述絕緣層的所述暫時支撐體側的表面露出的工序；

通過去除所述露出的所述基底部，使所述基座部以比所述絕緣層的所述表面凹陷的狀態露出的工序；以及

在所述露出的所述基座部上形成外部連接端子的工序。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝的制造方法，其中，形成所述絕緣層的工序包括：

在所述暫時支撐體上形成第一絕緣層的工序，所述第一絕緣層成為埋設所述基底部及所述基座部的狀態；以及

在將與所述基座部電連接的所述半導體元件配置于所述第一絕緣層上的工序之后，形成第二絕緣層的工序，所述第二絕緣層成為埋設所述半導體元件的狀態。

3.根據權利要求1或2所述的半導體封裝的制造方法，其中，

在所述暫時支撐體上形成所述基底部及所述基座部的工序包括：

在所述暫時支撐體上形成用以形成所述基底部的基底層的工序；

在所述基底層上形成抗蝕劑掩模的工序，所述抗蝕劑掩模的形成所述基座部的區域開口；

在所述基底層上的所述抗蝕劑掩模開口的區域形成所述基座部的工序；

去除所述抗蝕劑掩模的工序；以及

將所述基座部作為掩模來對所述基底層的未形成有所述基座部的區域進行蝕刻，由此形成所述基底部的工序。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體封裝的制造方法，其中，在所述暫時支撐體上形成所述基底部及所述基座部的工序包括：

通過電鍍來形成所述基座部的工序。

5.一種半導體封裝，包括：

外部連接端子；

導電性的基座部，形成有所述外部連接端子；

半導體元件，與所述基座部電連接；以及

絕緣層，埋設所述基座部及所述半導體元件，

所述基座部以形成有所述外部連接端子的面比所述絕緣層的表面凹陷的狀態埋設于所述絕緣層中。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝，其中，所述絕緣層包括埋設所述基座部的第一絕緣層、以及埋設所述半導體元件的第二絕緣層，

所述基座部以形成有所述外部連接端子的面比所述第一絕緣層的表面凹陷的狀態埋設于所述第一絕緣層中。