[發明專利]像素排布結構、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 202010167886.4 | 申請日: | 2020-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN111341817B | 公開(公告)日: | 2021-08-13 |
| 發明(設計)人: | 劉明星;彭兆基;楊澤明;馬天;趙棟;甘帥燕 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606 | 代理人: | 劉葛 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 排布 結構 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種像素排布結構,其特征在于,包括:
第一子像素,位于第一虛擬四邊形的第一頂點位置處;
第二子像素,位于所述第一虛擬四邊形的第二頂點位置處,所述第一頂點和所述第二頂點交替且間隔設置;及
第三子像素,位于所述第一虛擬四邊形內,且所述第三子像素的中心偏離所述第一虛擬四邊形的中心;
其中,沿行方向或列方向,所述第一虛擬四邊形具有彼此相對且平行的第一邊和第二邊,所述第一邊的長度小于所述第二邊的長度;
在所述第一虛擬四邊形中,位于所述第二邊的所述第一子像素距所述第三子像素的距離,大于位于所述第一邊的所述第一子像素距所述第三子像素的距離;
位于所述第一邊的所述第一子像素和所述第二子像素的虛擬邊彼此鄰接,位于所述第二邊的所述第一子像素和所述第二子像素的虛擬邊間隔開來;
所述第二子像素的發光面積大于所述第一子像素的發光面積,所述第二子像素的發光面積大于所述第三子像素的發光面積。
2.根據權利要求1所述的像素排布結構,其特征在于,所述第一子像素的中心與所述第一頂點彼此重合;
所述第二子像素的中心與所述第二頂點彼此重合。
3.根據權利要求1所述的像素排布結構,其特征在于,在所述第一虛擬四邊形中,一個所述第一子像素距相鄰的任一第二子像素的距離,和另一個所述第一子像素距相鄰的任一第二子像素的距離不相等。
4.根據權利要求1所述的像素排布結構,其特征在于,在所述第一虛擬四邊形中,相對的兩個內角中的一個小于90°,另一個大于90°。
5.根據權利要求1所述的像素排布結構,其特征在于,在所述第一虛擬四邊形中,所述第三子像素的中心與任一所述第一子像素的中心之間的距離,不等于所述第三子像素的中心與任一所述第二子像素的中心之間的距離。
6.根據權利要求1-5任一項所述的像素排布結構,其特征在于,多個所述第一虛擬四邊形以共享邊的方式排布形成陣列。
7.根據權利要求6所述的像素排布結構,其特征在于,在行方向或列方向,任意共享所述第一邊或第二邊的兩個第一虛擬四邊形為一組;在相鄰行或列共享所述第二邊或第一邊的兩個第一虛擬四邊形為另一組;
兩組中四個所述第一虛擬四邊形共享一個所述第一頂點或所述第二頂點,兩組所述第一虛擬四邊形中的所述第三子像素的中心連線形成第二虛擬四邊形;
所述第二虛擬四邊形沿列方向或行方向具有彼此相對且長度不等的第三邊和第四邊。
8.根據權利要求7所述的像素排布結構,其特征在于,所述第三邊與所述第四邊彼此平行。
9.根據權利要求6所述的像素排布結構,其特征在于,所述第三子像素的形狀為長方形或類長方形;
多個所述第三子像素的縱長方向相對所述行方向或列方向沿相同方向傾斜設置。
10.根據權利要求9所述的像素排布結構,其特征在于,沿行方向或列方向,任一第三子像素的虛擬邊和與距該第三子像素相鄰且更靠近的一個第三子像素的虛擬邊之間的最小距離為第一距離;
且沿列方向或行方向,該第三子像素的虛擬邊和與其相鄰的第三子像素的虛擬邊之間的最小距離為第二距離;
其中,所述第一距離小于所述第二距離。
11.根據權利要求6所述的像素排布結構,其特征在于,任意共享所述第二邊的兩個所述第一虛擬四邊形中的兩個所述第三子像素共用一個掩膜板開口。
12.根據權利要求1-5任一項所述的像素排布結構,其特征在于,所述第二子像素的開口面積大于所述第一子像素的開口面積和所述第三子像素的開口面積。
13.一種顯示面板,其特征在于,包括如權利要求1-12任一項所述的像素排布結構。
14.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求13所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





