[發明專利]像素排布結構、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 202010167886.4 | 申請日: | 2020-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN111341817B | 公開(公告)日: | 2021-08-13 |
| 發明(設計)人: | 劉明星;彭兆基;楊澤明;馬天;趙棟;甘帥燕 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606 | 代理人: | 劉葛 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 排布 結構 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明涉及一種像素排布結構,包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,第三子像素位于第一虛擬四邊形內,且第三子像素的中心偏離第一虛擬四邊形的中心;第一虛擬四邊形具有彼此相對的第一邊和第二邊,第一邊的長度小于第二邊的長度;位于第二邊的第一子像素距第三子像素的距離,大于位于第一邊的第一子像素距第三子像素的距離。上述的像素排布結構,在工藝條件相同的情況下,可以使共享第二邊的相鄰的兩個第一虛擬四邊形中的第三子像素的間距相較于其他排布形式增大,擴大了相鄰的像素開口之間可以利用的距離,有利于張網力F的傳輸,減少了Mask的變形,降低了精細金屬掩膜板制作工藝和蒸鍍工藝的難度。還提供一種顯示面板及顯示裝置。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種像素排布結構、顯示面板及顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的不斷發展,人們對于顯示面板的分辨率的要求也越來越高。由于具有顯示質量高等優點,高分辨率顯示面板的應用范圍也越來越廣。通常,各子像素一般是通過有機材料利用蒸鍍成膜技術透過精細掩膜板,在陣列基板上的相應的子像素位置形成有機電致發光結構。然而,當減小相鄰子像素之間的距離以獲得高開口率時,會增加掩膜板的制作難度,降低沉積可靠性。當增加子像素之間的距離以提高沉積可靠性時,會犧牲開口率。
發明內容
基于此,有必要提供一種像素排布結構、顯示面板及顯示裝置,能夠實現高像素密度的同時,降低掩膜板的制作難度。
根據本申請的一個方面,提供一種像素排布結構,包括:
第一子像素,位于第一虛擬四邊形的第一頂點位置處;
第二子像素,位于所述第一虛擬四邊形的第二頂點位置處,所述第一頂點和所述第二頂點交替且間隔設置;及
第三子像素,位于所述第一虛擬四邊形內,且所述第三子像素的中心偏離第一虛擬四邊形的中心;
其中,沿行方向或列方向,所述第一虛擬四邊形具有彼此相對的第一邊和第二邊,所述第一邊的長度小于所述第二邊的長度;
在所述第一虛擬四邊形中,位于所述第二邊的所述第一子像素距所述第三子像素的距離,大于位于所述第一邊的所述第一子像素距所述第三子像素的距離。
上述的像素排布結構,在工藝條件相同的情況下,采用這種子像素排布結構,可以使共享第二邊的相鄰的兩個第一虛擬四邊形中的第三子像素的間距相較于其他排布形式增大,擴大了相鄰的像素開口之間可以利用的距離,有利于張網力F的傳輸,減少了Mask的變形,降低了精細金屬掩膜板制作工藝和蒸鍍工藝的難度。
在一實施例中,所述第一子像素的中心與所述第一頂點彼此重合;
所述第二子像素的中心與所述第二頂點彼此重合。
在一實施例中,所述第一邊與所述第二邊彼此平行。
在一實施例中,在所述第一虛擬四邊形中,一個所述第一子像素距相鄰的任一第二子像素的距離,和另一個所述第一子像素距相鄰的任一第二子像素的距離不相等。
在一實施例中,在所述第一虛擬四邊形中,相對的兩個內角中的一個小于90°,另一個大于90°。
在一實施例中,在所述第一虛擬四邊形中,所述第三子像素的中心與任一所述第一子像素的中心之間的距離,不等于所述第三子像素的中心與任一所述第二子像素的中心之間的距離。
在一實施例中,多個所述第一虛擬四邊形以共享邊的方式排布形成陣列。
在一實施例中,在行方向或列方向,任意共享所述第一邊或第二邊的兩個第一虛擬四邊形為一組;在相鄰行或列共享所述第二邊或第一邊的兩個第一虛擬四邊形為另一組;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





