[發(fā)明專利]基于近零介電常數(shù)氧化銦錫的可調(diào)雙控光開關(guān)及使用方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010167853.X | 申請日: | 2020-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN111290192B | 公開(公告)日: | 2022-08-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李倩;謝澤韜;吳嘉野 | 申請(專利權(quán))人: | 北京大學深圳研究生院 |
| 主分類號: | G02F1/35 | 分類號: | G02F1/35;G02F1/355 |
| 代理公司: | 北京理工大學專利中心 11120 | 代理人: | 李微微 |
| 地址: | 518055 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 介電常數(shù) 氧化 可調(diào) 雙控光 開關(guān) 使用方法 | ||
本發(fā)明公開了一種基于近零介電常數(shù)氧化銦錫的可調(diào)雙控光開關(guān)及使用方法,可以通過外加電壓或泵浦光光照射的方式調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的透射光譜,從而調(diào)節(jié)不同波長的開/關(guān)比,因此可以根據(jù)實際情況進行相應的調(diào)節(jié);該光開關(guān)制作工藝簡單,且與現(xiàn)有CMOS工藝兼容,能夠利用集成工藝規(guī)模化生產(chǎn),降低了生產(chǎn)成本;該光開關(guān)具有納米級的集成尺寸,方便技術(shù)人員進行集成化的應用;具有超快的響應時間的特點,工作在通信波長,具有廣闊的應用前景;性能優(yōu)越,具有大的開光深度和調(diào)制范圍。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于近零介電常數(shù)氧化銦錫的可調(diào)雙控光開關(guān)及使用方法。
背景技術(shù)
作為高速光網(wǎng)絡(luò)以及集成光學器件必不可少的組成部分,光開關(guān)在光通信領(lǐng)域具有廣泛的應用。光開關(guān)具有低功耗、高效率、超快的響應速度以及集成尺寸等出色性能,傳統(tǒng)電子開關(guān)無法比擬。當前,光開光的設(shè)計方案包括光子晶體納米腔、表面等離子激元、超材料以及微環(huán)諧振器等。然而,光開關(guān)在應用上受到的挑戰(zhàn)主要來自組成自身的材料,包括材料的不可調(diào)諧,較窄的光譜應用范圍,較低的響應速度,高傳播損耗,無法與當前的CMOS工藝兼容等,限制了光開關(guān)的進一步發(fā)展。
近年來,介電常數(shù)近零材料獨特的光學性能給新技術(shù)的發(fā)展帶來新的機遇。在眾多人造與天然的介電常數(shù)近零材料中,透明導電氧化物氧化銦錫脫穎而出。在外加電壓的調(diào)制下,氧化銦錫的載流子濃度支持1019至1021cm-3的調(diào)制范圍,提供了紫外到近紅外范圍的可調(diào)制光學效應。另外,具有近零介電常數(shù)的氧化銦錫還表現(xiàn)了巨大的非線性光學響應,其可在泵浦光的作用下實現(xiàn)飛秒量級的光學響應速度。此外,氧化銦錫還具有低成本、制作工藝簡單、具有CMOS工藝兼容性等特點。
基于以上基礎(chǔ),在集成光學中引入具有近零介電常數(shù)的氧化銦錫成為近年來的研究熱點。而目前對具有近零介電常數(shù)的氧化銦錫的研究主要集中在其電性能方面,基于非線性光學響應的全光響應器件較少涉及。在光開關(guān)方面也僅僅是集中單獨對電調(diào)制或光調(diào)制的研究,限制了其實際的工作條件。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的是提供一種基于近零介電常數(shù)氧化銦錫的可調(diào)雙控光開關(guān)及使用方法,可在外加電壓和泵浦光照射兩種條件下工作,具有制作工藝簡單、低成本、可調(diào)諧、CMOS工藝兼容等特點。
一種光開關(guān),包括多個十字形結(jié)構(gòu)(1)、氧化銦錫納米薄層(4)、二氧化鉿層(5)和金屬電極(6);氧化銦錫納米薄層(4)鋪設(shè)在二氧化鉿層(5)之上;多個十字形結(jié)構(gòu)(1)以陣列排布在氧化銦錫納米薄層(4)上;且任意相鄰的十字形結(jié)構(gòu)(1)之間距離相等;十字形結(jié)構(gòu)(1)包括金層(2)和氧化銦錫層(3);氧化銦錫層(3)緊貼氧化銦錫納米薄層(4),金層(2)緊貼在氧化銦錫層(3)之上。金屬電極(6)設(shè)置在二氧化鉿層(5)之下,金屬電極(6)與氧化銦錫納米薄層(4)之間加載柵極電壓(7)。
較佳的,所述金層(2)的長度為450nm,寬度為50nm,厚度為100nm。
較佳的,所述氧化銦錫層(3)的長度為450nm,寬度為50nm,厚度為23nm。
較佳的,所述氧化銦錫納米薄層(4)的厚度為4nm。
較佳的,所述二氧化鉿層(5)的厚度為50nm。
較佳的,所述金屬電極(6)的形狀為方形框。
較佳的,所述金屬電極(6)的材質(zhì)為金。
一種光開關(guān)的使用方法,通過調(diào)節(jié)柵極電壓(7)來調(diào)節(jié)透射光譜。
一種光開關(guān)的使用方法,采用泵浦光照射光開關(guān),通過調(diào)節(jié)泵浦光的入射角度或能量強度來調(diào)節(jié)透射光譜。
一種光開關(guān)的使用方法,采用泵浦光照射光開關(guān),并通過調(diào)節(jié)柵極電壓(7)和泵浦光來調(diào)節(jié)透射光譜;其中,泵浦光調(diào)節(jié)包括入射角度或能量強度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京大學深圳研究生院,未經(jīng)北京大學深圳研究生院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010167853.X/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種全髖金屬杯假體及其制作方法
- 下一篇:一種洗掃車的仿真系統(tǒng)
- 同類專利
- 專利分類
G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學;光學
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導結(jié)構(gòu)中的





