[發(fā)明專利]基于近零介電常數(shù)氧化銦錫的可調(diào)雙控光開關(guān)及使用方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010167853.X
• 申請日: 2020-03-11
• 公開（公告）號: CN111290192B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李倩;謝澤韜;吳嘉野
• 申請（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)深圳研究生院
• 主分類號: G02F1/35
• 分類號: G02F1/35;G02F1/355
• 代理公司: 北京理工大學(xué)專利中心 11120
• 代理人: 李微微

1.一種光開關(guān)，其特征在于，包括多個十字形結(jié)構(gòu)(1)、氧化銦錫納米薄層(4)、二氧化鉿層(5)和金屬電極(6)；氧化銦錫納米薄層(4)鋪設(shè)在二氧化鉿層(5)之上；多個十字形結(jié)構(gòu)(1)以陣列排布在氧化銦錫納米薄層(4)上；且任意相鄰的十字形結(jié)構(gòu)(1)之間距離相等；十字形結(jié)構(gòu)(1)包括金層(2)和氧化銦錫層(3)；氧化銦錫層(3)緊貼氧化銦錫納米薄層(4)，金層(2)緊貼在氧化銦錫層(3)之上；金屬電極(6)設(shè)置在二氧化鉿層(5)之下，金屬電極(6)與氧化銦錫納米薄層(4)之間加載柵極電壓(7)。

2.如權(quán)利要求1所述的光開關(guān)，其特征在于，所述金層(2)的長度為450nm，寬度為50nm，厚度為100nm。

3.如權(quán)利要求2所述的光開關(guān)，其特征在于，所述氧化銦錫層(3)的長度為450nm，寬度為50nm，厚度為23nm。

4.如權(quán)利要求1、2或3所述的光開關(guān)，其特征在于，所述氧化銦錫納米薄層(4)的厚度為4nm。

5.如權(quán)利要求1、2或3所述的光開關(guān)，其特征在于，所述二氧化鉿層(5)的厚度為50nm。

6.如權(quán)利要求1、2或3所述的光開關(guān)，其特征在于，所述金屬電極(6)的形狀為方形框。

7.如權(quán)利要求1、2或3所述的光開關(guān)，其特征在于，所述金屬電極(6)的材質(zhì)為金。

8.一種權(quán)利要求1所述的光開關(guān)的使用方法，其特征在于，通過調(diào)節(jié)柵極電壓(7)來調(diào)節(jié)透射光譜。

9.一種權(quán)利要求1所述的光開關(guān)的使用方法，其特征在于，采用泵浦光照射光開關(guān)，通過調(diào)節(jié)泵浦光的入射角度或能量強(qiáng)度來調(diào)節(jié)透射光譜。

10.一種權(quán)利要求1所述的光開關(guān)的使用方法，其特征在于，采用泵浦光照射光開關(guān)，并通過調(diào)節(jié)柵極電壓(7)和泵浦光來調(diào)節(jié)透射光譜；其中，泵浦光調(diào)節(jié)包括入射角度或能量強(qiáng)度。