[發(fā)明專利]存儲器的測試方法及相關(guān)設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010167406.4
• 申請日: 2020-03-11
• 公開（公告）號: CN113393893A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 章恒嘉;丁麗;史傳奇
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

本公開實施例提供一種存儲器的測試方法及裝置、電子設(shè)備和計算機可讀存儲介質(zhì)，涉及半導(dǎo)體器件測試技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：測試第一存儲器，獲取第一存儲器的缺陷信息；根據(jù)所述第一存儲器的缺陷信息，獲得所述第一存儲器的修復(fù)信息；將所述第一存儲器的修復(fù)信息存儲于第二存儲器中。本公開實施例提供的技術(shù)方案，可以利用其他存儲器來存儲當(dāng)前被測試的存儲器的修復(fù)信息，從而可以擴大存儲空間，提高測試效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體器件測試技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種存儲器的測試方法及相關(guān)設(shè)備。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體工藝尺寸不斷縮小，IC(Integrated Circuit，集成電路)設(shè)計的規(guī)模越來越大，高度復(fù)雜的IC產(chǎn)品正面臨著高可靠性、高質(zhì)量、低成本以及更短的產(chǎn)品上市周期等日益嚴峻的挑戰(zhàn)。一方面隨著半導(dǎo)體工藝尺寸的縮小，存儲器可能存在的缺陷類型越來越多；另一方面，隨著IC產(chǎn)品的復(fù)雜度的提高，RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器)等存儲器在IC產(chǎn)品中的比重越來越大。

以DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器))測試為例，需要用于測試存儲器的自動測試設(shè)備(Automatic Test Equipment，ATE)的機臺內(nèi)部記憶體空間來記錄存儲器缺陷位置及備用電路的信息，通過ATE分析運算行為產(chǎn)生修補信息，再進行存儲器的修補。

在較大容量的存儲器測試時或需要精準分析時，ATE內(nèi)部記憶體空間將可能不足，進而被迫暫停測試進行多次測試及修補，造成測試成本增加。相關(guān)技術(shù)中，由于ATE內(nèi)部記憶體空間有限，甚至不支持缺陷位置存儲及缺陷分析。如果需要增加ATE的記憶體空間，會導(dǎo)致ATE非常昂貴，或者記憶體空間的擴充已經(jīng)達到了ATE的上限。

相關(guān)技術(shù)中存在的一種解決方式是通過高倍率壓縮進行測試，但高倍率壓縮測試，容易出現(xiàn)無法修補、良率降低的問題。

需要說明的是，在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種存儲器的測試方法及相關(guān)設(shè)備，能夠克服上述相關(guān)技術(shù)存在的ATE機臺內(nèi)存空間有限，無法為存儲器測試過程中的缺陷信息、修復(fù)信息等提供足夠的存儲空間的技術(shù)問題。

本公開實施例提供一種存儲器的測試方法，所述方法包括：測試第一存儲器，獲取所述第一存儲器的缺陷信息；根據(jù)所述第一存儲器的缺陷信息，獲得所述第一存儲器的修復(fù)信息；將所述第一存儲器的修復(fù)信息存儲于第二存儲器中。

在本公開一些示例性實施例中，在測試所述第一存儲器之前，所述方法還包括：測試所述第二存儲器，獲取所述第二存儲器的缺陷信息；存儲所述第二存儲器的缺陷信息；根據(jù)所述第二存儲器的缺陷信息，獲得所述第二存儲器的修復(fù)信息；利用所述第二存儲器的修復(fù)信息修復(fù)所述第二存儲器。

在本公開一些示例性實施例中，所述第一存儲器和所述第二存儲器屬于同一存儲設(shè)備。

在本公開一些示例性實施例中，所述存儲設(shè)備還包括控制芯片，所述第一存儲器和所述第二存儲器依次垂直堆疊于所述控制芯片之上或者之下。

在本公開一些示例性實施例中，所述第一存儲器和所述第二存儲器屬于不同存儲設(shè)備，所述不同存儲設(shè)備的類型相同或者不同。

在本公開一些示例性實施例中，所述方法還包括：測試第三存儲器，獲取所述第三存儲器的缺陷信息；根據(jù)所述第三存儲器的缺陷信息，獲得所述第三存儲器的修復(fù)信息；將所述第三存儲器的修復(fù)信息存儲于所述第二存儲器中。

在本公開一些示例性實施例中，所述方法還包括：從所述第二存儲器中讀取所述第一存儲器和所述第三存儲器的修復(fù)信息；根據(jù)所述第一存儲器的修復(fù)信息修復(fù)所述第一存儲器，并根據(jù)所述第三存儲器的修復(fù)信息修復(fù)所述第三存儲器。