[發明專利]一種正面切割兩次減薄的晶粒生產方法

有效

• 申請號: 202010166910.2
• 申請日: 2020-03-11
• 公開（公告）號: CN111446162B
• 公開（公告）日: 2023-02-24
• 發明（設計）人: 嚴立巍;李景賢;陳政勛
• 申請（專利權）人: 紹興同芯成集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/78;H01L21/302
• 代理公司: 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357
• 代理人: 王依

本發明公開一種正面切割兩次減薄的晶粒生產方法，生產方法包括以下步驟：正面切割、一次固定、一次減薄、中間工藝、二次減薄、粘合劑去除、金屬沉積工藝、二次固定、脫離玻璃載板和溶劑清洗。本發明通過切割、一次固定、一次減薄、中間工藝、二次減薄、粘合劑去除、金屬沉積工藝、二次固定、脫離玻璃載板和溶劑清洗實實現對晶圓進行正面切割兩次減薄獲得晶粒，取代傳統的一次性切割的方式，減少切割對晶粒的損壞，減少切割對晶粒的損壞，提高晶粒的成品合格率，縮短了單個合格晶粒的切割時間，取代傳統的切割前完成背面黃光、離子注入、金屬沉積工藝，有利于控制晶粒的生產成本。

技術領域

本發明涉及一種生產方法，具體是一種正面切割兩次減薄的晶粒生產方法。

背景技術

一個超薄晶圓，一般厚度為20-250微米，用于MOSFETandIGBT的功率器件及3-D器件。目前是將晶圓與玻璃載板鍵合，利用玻璃載板，傳送晶圓進行晶圓薄化，及背面黃光，離子注入，金屬沉積等工藝，最后于晶粒膜框架上進行晶粒切割及后續測試和封裝,需在薄化晶圓背面，實行黃光，離子注入，金屬沉積工藝，才進行晶片的切割晶粒工序，但是薄化到20微米-80微米的晶片，于切割晶粒時，由于薄晶片的翹曲性，加上晶片已完成金屬沉積，以外力切割時，切割時變化的應力，易使晶片崩裂，晶粒無法重工而報廢損毀,現有技術中大都在切割前完成背面黃光、離子注入、金屬沉積工藝，切割時極易對晶粒造成損傷，增加了晶粒的生產成本。

發明內容

本發明的目的在于提供一種正面切割兩次減薄的晶粒生產方法，通過切割、一次固定、一次減薄、中間工藝、二次減薄、粘合劑去除、金屬沉積工藝、二次固定、脫離玻璃載板和溶劑清洗實現對晶圓進行正面切割兩次減薄獲得晶粒，取代傳統的一次性切割的方式，減少切割對晶粒的損壞，提高晶粒的成品合格率，取代傳統的切割前完成背面黃光、離子注入、金屬沉積工藝，有利于控制晶粒的生產成本。

本發明的目的可以通過以下技術方案實現：

一種正面切割兩次減薄的晶粒生產方法，生產方法包括以下步驟：

S1：正面切割

對晶圓進行切割。

S2：一次固定

采用粘合劑將晶圓切割的正面鍵合在玻璃載板上。

S3：一次減薄

對切割后的晶圓的背面進行一次減薄。

S4：中間工藝

背面黃光，離子注入。

S5：二次減薄

對切割后的晶圓的背面進行二次減薄。

S6：粘合劑去除

采用氧氣電漿蝕刻相鄰晶粒之間的粘合劑。

S7：金屬沉積工藝

通過濺鍍或蒸鍍或化鍍或電鍍對晶粒的減薄面進行金屬沉積工藝。

S8:二次固定

將晶粒的減薄面固定在UV膜框上，UV膜框上設有UV型膠膜。

S9：脫離玻璃載板

采用鐳射或熱分解的方式進行解鍵合，將晶圓與玻璃載板脫離，此時晶粒粘合在UV膜框上。

S10：溶劑清洗

將粘合劑從晶粒上剝離。

進一步的，所述切割的方法為金剛石切割、激光切割、等離子切割中的一種。

進一步的，所述晶粒切割時從晶粒的正面進行切割，切割至X處，X為預計最后晶圓減薄完成后的厚度。