[發明專利]一種正面切割兩次減薄的晶粒生產方法

有效

• 申請號: 202010166910.2
• 申請日: 2020-03-11
• 公開（公告）號: CN111446162B
• 公開（公告）日: 2023-02-24
• 發明（設計）人: 嚴立巍;李景賢;陳政勛
• 申請（專利權）人: 紹興同芯成集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/78;H01L21/302
• 代理公司: 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357
• 代理人: 王依

1.一種正面切割兩次減薄的晶粒生產方法，其特征在于，背面處理工藝包括以下步驟：

S1：正面切割

對晶圓(1)進行切割；

S2：一次固定

采用粘合劑(3)將晶圓(1)切割的正面鍵合在玻璃載板(2)上；

S3：一次減薄

對切割后的晶圓(1)的背面進行一次減薄；

S4：中間工藝

背面黃光，離子注入,在晶粒(4)的背面形成離子注入層(6)，光阻去除，退火工藝；

S5：二次減薄

對切割后的晶圓(1)的背面進行二次減薄；

S6：粘合劑(3)去除

采用氧氣電漿蝕刻相鄰晶粒(4)之間的粘合劑(3)；

S7：金屬沉積工藝

通過濺鍍或蒸鍍或化鍍或電鍍對晶粒(4)的減薄面進行金屬沉積工藝；

S8:二次固定

將晶粒(4)的減薄面固定在UV膜框(5)上，UV膜框(5)上設有UV型膠膜；

S9：脫離玻璃載板(2)

采用鐳射或熱分解的方式進行解鍵合，將晶圓(1)與玻璃載板(2)脫離，此時晶粒(4)粘合在UV膜框(5)上；

S10：溶劑清洗

將粘合劑(3)從晶粒(4)上剝離。

2.根據權利要求1所述的一種正面切割兩次減薄的晶粒生產方法，其特征在于，所述切割的方法為金剛石切割、激光切割、等離子切割中的一種。

3.根據權利要求1所述的一種正面切割兩次減薄的晶粒生產方法，其特征在于，所述晶粒(4)切割時從晶粒(4)的正面進行切割，切割至1.05X~1.3X處,X為預計最后晶圓(1)減薄完成后的厚度。

4.根據權利要求1所述的一種正面切割兩次減薄的晶粒生產方法，其特征在于，所述一次固定的粘合劑(3)通過UV鍵合將晶圓(1)和玻璃載板(2)粘合在一起，溫度要求為50-200℃，使用的時間為30分鐘以下。

5.根據權利要求1所述的一種正面切割兩次減薄的晶粒生產方法，其特征在于，所述一次固定的粘合劑(3)通過加熱鍵合將晶圓(1)和玻璃載板(2)粘合在一起,溫度要求為150-300℃，使用的時間為30分鐘以下。

6.根據權利要求1所述的一種正面切割兩次減薄的晶粒生產方法，其特征在于，所述一次減薄采用的方法為蝕刻或研磨。

7.根據權利要求1所述的一種正面切割兩次減薄的晶粒生產方法，其特征在于，所述二次減薄采用的方法為蝕刻或研磨。

8.根據權利要求3所述的一種正面切割兩次減薄的晶粒生產方法，其特征在于，所述一次減薄的厚度為1.01Y~1.2Y，1.05X≤Y≤1.3X。

9.根據權利要求3所述的一種正面切割兩次減薄的晶粒生產方法，其特征在于，所述二次減薄至預定的X厚度。