[發明專利]基板固定裝置在審
| 申請號: | 202010165402.2 | 申請日: | 2020-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN111696906A | 公開(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發明(設計)人: | 古川忠義;齋藤美喜;鈴木貴彥;青木周三 | 申請(專利權)人: | 新光電氣工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋曉寶;向勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固定 裝置 | ||
本發明提供一種基板固定裝置,其具有:底板,其內部具備氣體供給部;及靜電卡盤,其設置在所述底板上。所述靜電卡盤具備:基體,其一個表面為吸附對象物的承載面;及貫穿所述基體的插入孔,其內側面上形成有內螺紋。其中,側面上形成有外螺紋的擰入部件螺接在所述插入孔內,氣體可從所述氣體供給部經由所述擰入部件被供給至所述承載面。
技術領域
本發明涉及一種基板固定裝置。
背景技術
現有技術中,就制造IC、LSI等的半導體裝置時所使用的成膜裝置(例如,CVD裝置、PVD裝置等)或等離子蝕刻裝置而言,一般具有用于在真空處理室內對晶圓(wafer)進行高精度保持的載臺。
作為這樣的載臺,例如提出了一種藉由安裝在底板上的靜電卡盤(chuck)對作為吸附對象物的晶圓進行吸附和保持的基板固定裝置。作為基板固定裝置的一例,可列舉出一種具有設置了用于對晶圓進行冷卻的氣體供給部的結構的裝置。氣體供給部例如可經由底板內部的氣體流路和設置在靜電卡盤上的氣體排出部(貫穿孔)將氣體供給至靜電卡盤的表面。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1](日本)專利第6420937號
[要解決的技術問題]
然而,在將基板固定裝置應用于等離子蝕刻裝置的情況下,當對晶圓進行蝕刻處理時,會產生沿靜電卡盤的氣體供給部而傳遞的異常放電,存在晶圓和/或等離子蝕刻裝置本身發生損壞的問題。
作為異常放電的應對方法,已經對氣體排出部的小直徑化進行了研究,但是,如果對氣體排出部進行小直徑化,則蝕刻的副產物等容易堵住氣體排出部,并且也極難將其除去,所以維護性較差,并不是一種實用的應對方法。
發明內容
本發明是鑒于上述問題而提出的,其目的在于提供一種具有維護性較優的異常放電應對措施的基板固定裝置。
[技術方案]
本基板固定裝置具有:底板,其內部具備氣體供給部;及靜電卡盤,其設置在所述底板上。所述靜電卡盤具備:基體,其一個表面為吸附對象物的承載面;及插入孔,其貫穿所述基體,并且內側面上設置有內螺紋(female screw)。側面上設置有外螺紋(male screw)的擰入(screw-in)部件螺接于所述插入孔內。氣體可從所述氣體供給部經由所述擰入部件被供給至所述承載面。
[有益效果]
根據所公開的技術,能夠提供一種具有維護性較優的異常放電應對措施的基板固定裝置。
附圖說明
圖1A-圖1B是第1實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖。
圖2A-圖2D是擰入部件的形狀的例示圖。
圖3A-圖3B是第2實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖。
圖4是圖3B的擰入部件附近的局部放大剖面圖。
圖5A-圖5B是第3實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖。
圖6A-圖6B是第4實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖。
圖7A-圖7B是第5實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖。
圖8A-圖8B是第6實施方式的基板固定裝置的簡略例示剖面圖。
其中,附圖標記說明如下:
1、2、3、4、5、6 基板固定裝置
10 底板
10a、60a、61a、62a、63a 上表面
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于新光電氣工業株式會社,未經新光電氣工業株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010165402.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





